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电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274714.html2012/5/16 21:27:45
d全产业链的专利布局早在上世纪80年代就已开始，并且在以蓝宝石和sic衬底上生长GaN基led外延、芯片方面的专利布局已基本完成，所以说总体形势是不容乐观的。 中科院苏州纳米技术
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/5/302456.html2012/12/5 22:33:21
http://blog.alighting.cn/nianhua/archive/2012/12/17/304217.html2012/12/17 19:34:26
管。1993年，在日本日亚化工（nichia）工作的中村修二成功把氮渗入，造出了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化镓（inGaN）、具有商业应用价值的蓝光led。有了蓝
http://blog.alighting.cn/175310/archive/2013/6/3/318631.html2013/6/3 17:22:44
小的效应是可逆的,也即当温度回复到初始温度时,光输出通量会有一个恢复性的增长。这种效应的发生机制显然是由于材料的一些相关参数会随温度发生变化,从而导致器件参数的变化。如随温度的增加,电
http://blog.alighting.cn/mayertank/archive/2009/6/4/3736.html2009/6/4 10:31:00
这里 描述辐射能在频谱中的分布，称为辐射能通量的谱密度。 2、光通量 当研究光的强度，或更广泛的研究电磁辐射的强度，都离不开观察仪器或检测器件，如光学仪器、人眼、光电池、感
http://blog.alighting.cn/ziproo/archive/2009/4/2/9828.html2009/4/2 16:43:00
路。变压器输出侧包括：二极管d10等组成的输出整流滤波电流；固定电压基准u2等组成的稳压反馈电路。该方案由于功率器件和pwm器件集成在一个封装内，故集成度较高，但散热设计难。 分
http://blog.alighting.cn/sanliwei/archive/2009/12/5/20960.html2009/12/5 13:42:00
素。这就需要在技术上采取措施*机箱及元器件的温升，这就是热设计。热设计的原则，一是减少发热量，即选用更优的控制方式和技术，如移相控制技术、同步整流技术等技术，另外就是选用低功耗的器
http://blog.alighting.cn/juanjuanhe0819/archive/2009/12/28/22787.html2009/12/28 10:54:00
http://blog.alighting.cn/juanjuanhe0819/archive/2009/12/28/22788.html2009/12/28 10:56:00
试规范来制约其供应商。其它的汽车公司通常也都有各自的要求，如： sae j1113(汽车器件电磁敏感性测试程序)给出了汽车器件推荐的测试级别以及测试程序。 sae
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/26/46156.html2010/5/26 10:02:00
