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功实现商品化，同年在世界范围内取得了该项技术的专利。目前发展的方向是无机紫外光晶片加红、蓝、绿三颜色荧光粉混合产生白光的三波长白光led，实现商品化后它将取代荧光灯、紧凑型节能荧光
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料，因此对彩色pdp用三基色荧光材料的研究及生产具有重要意义。同时，彩色pdp荧光材料将成为继彩电、紧凑型节能灯之后，稀土在发光材料中应用的又一个高新技术领域，这对我国稀土资源的应
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基，或者在二聚环戊二烯骨架中导入酚基也可达到提高耐热性的目的。很显然多官能团型的环氧树脂是有利于提高封装材料的交联度的。 随着封装器件的高性能化，要求环氧树脂不仅要具有高耐热
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轻，体积小，成本低，发光响应快等优点。因此在显示器件和短距离、低速率的光纤通信用光源等方面有广泛的应用，特别是近年来蓝色、紫色及紫外led的迅速发展，使led在照明领域取代白炽灯和荧光
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状 ingaalp超高亮度红（橙、黄）光led问世于1991年，经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年，南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延片制成芯片，1998年国内第一台生产
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料质量、器件指标等方面取得了重要进展。同时对gan基led的可靠性也进行了比较深入的研究。 gan基led的退化机理主要包括封装材料退化、金属的电迁移、p型欧姆接触退化、深能级与
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ｄ。 ｌｅｄ的核心发光部分是由ｐ型和ｎ型半导体构成的ｐｎ结管芯，当注入ｐｎ结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红外光。但ｐｎ结区发出的光子是非定向的，即
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常小巧的整体解决方案尺寸使其非常适合移动手持终端与便携式背景照明应用。 该器件的工作温度 tj 规定在 -40°C ～ +85°C的整个范围内。 具备 2% led 到 le
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d奠定扎实基础。可供uv光激发的高效萤光粉很多，其发光效率比目前使用的yag：Ce体系高许多，这样容易使白光led上到新臺阶。6.开发多量子阱型芯片技术 多量子阱型是在芯片发光层的生
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1968年hp公司就生产出红色的led发光灯（波长660nm）,而后陆续出现了可用于显示屏的黄绿(波长570nm),蓝(波长470nm)及纯绿(波长525nm),但目前由于高亮
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