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LED芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

LED芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

LED芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261521.html2012/1/8 21:47:42

LED芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262683.html2012/1/29 0:37:42

LED芯片的技术发展状况

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  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262693.html2012/1/29 0:38:17

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长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

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  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

LED芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

LED芯片的技术发展状况

长625 nm algainp超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极限。algainn材料内存在的晶格和热失配所致的缺陷、应力和电场等使得algainn超高亮

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

LED照明灯存在的问题和解决办法

称为希望之光的LED,从1964年发明至今,已发展到普及化照明的时代,其节能、环保、亮度高、功耗小、寿命长、耐冲击等优点,前景极为广阔;在室内照明的起步阶段,还有其固有的缺点,主

  http://blog.alighting.cn/sg-lsb/archive/2008/10/30/9235.html2008/10/30 20:24:00

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