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D照明散热技术大功率leD照明光源需要解决的散热问题涉及以下几个环节：1、 晶片pn结到外延层； 2、 外延层到封装基板； 3、 封装基板到外部冷却装置再到空气。半导体元器件通常对
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267906.html2012/3/15 21:04:46
线的接线端子及散热器的设计无法达到ip45及以上等级，无法满足gb7000.5/iec6598-2-3 标准的要求。（2）采用普通的道路灯具外壳,在灯具出光面内用矩阵式leD,这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268317.html2012/3/15 21:55:15
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268320.html2012/3/15 21:55:27
了200多万颗leD、世博园区内使用了10.3亿颗leD芯片；世博场馆室内照明光源中约有80%采用了leD绿色光源，相较于普通白炽灯省电达90%左右。2010年的上海世博会正成为全
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268354.html2012/3/15 21:57:07
片补色产生白光。只要散热得法，该方法产生的白光较前一种方法稳定，但驱动较复杂，另外还要考虑不同颜色芯片的不同光衰速度。 (3)在紫外光芯片上涂rgb荧光粉，利用紫光激发荧光粉产生三
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22
个以上的互补的2色leD发光二极管或把3原色leD发光二极管做混光而形成白光。采用多晶型的产生白光的方式，因为不同的色彩的leD发光二极管的驱动电压、发光输出、温度特性及寿命各不相
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268363.html2012/3/15 21:57:35
5～525 nm）发光芯片。台湾现在可以向市场提供6 mw左右的蓝光和4 mw左右的紫光芯片，其实验室水平可以达到蓝光10 mw和紫光7～8 mw的水平。国内的公司可以向市场提供3～
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
大跨越，在整体照亮度不变的条件下较传统路灯节能近一半；使用寿命方面达到传统路灯的3倍以上。在此基础上不断进行散热新材料和路灯电源的技术和成本改善努力，公司的neoneon银雨第六
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268382.html2012/3/15 22:02:40
照规划，到2012年底，佛山leD产业要实现产值200亿元，形成从芯片、封装到应用的比较完整的产业链，培育3～4家具有国际竞争力的拥有自主品牌和核心技术的龙头企业。此外，广州、中山
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268389.html2012/3/15 22:03:03
性推进阶段。2008年12月，科技部高新司提出了开展“十城万盏”leD应用试点示范城市的思路，以应用示范拉动内需，促进科技成果的转化。2009年3月，科技部高新司在北京召开会议，决
http://blog.alighting.cn/xiongzhiqiang/archive/2012/3/16/268406.html2012/3/16 9:49:29
