站内搜索
射的光子数和每秒通过ｌｅｄ的电子数目之比[４]。提高内量子效率的关键在于改进晶体的外延工艺、减少晶体的错位等缺陷，通过优化量子阱阱宽等措施改善量子阱结构[２]，从而进一步提高芯片质
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268488.html2012/3/16 13:47:07
具技术的需求，分析高功率led 在室内照明领域中的发展。高功率led照明的发展取决于两大元素：一是芯片本身;二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。而外在环境还需要量看国家以及国际
https://www.alighting.cn/resource/2013/1/4/9254_23.htm2013/1/4 9:25:04
有关白光led的耐久性亦即led的劣化，一般认为光束、封装，以及芯片的时间性劣化，是造成寿命降低的主要原因，然而实际上这些劣化要因错综复杂，因此劣化模式的分析非常困难，特别是白
https://www.alighting.cn/resource/2012/6/20/104712_95.htm2012/6/20 10:47:12
作的铝芯金属线路板,低成本、低热阻、性能稳定、便于加工和进行多样结构的封装是其突出优点。对采用mao工艺的mcpcb基板封装的瓦级单芯片led进行了热场的有限元模拟,结果显示其热
https://www.alighting.cn/resource/20130524/125568.htm2013/5/24 15:46:06
小,芯片加速老化,工作寿命缩短。文章从led散热问题着手,详细介绍了目前广泛商用的大功率led器件结构及导热途径、所用散热基片的特点,以及led所用的散热片设计和计算方法。另外介
https://www.alighting.cn/2012/9/21 16:35:28
展中，因此差距不是很大。“十五”期间，在国家相关政府部门的大力支持下，我国的oled技术获得了迅速的发展，在有机材料、器件结构、生产工艺、柔软显示以及驱动芯片等技术的开发方面已取
https://www.alighting.cn/resource/20071023/128547.htm2007/10/23 0:00:00
【led幕墙屏】近几年来led技术发展迅速，衬底、外延及芯片核心技术取得了突破性进展。pss衬底、非极性、半极性衬底、芯片新结构、外延新技术等，均为提高led【led窗帘屏】内量
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
采用蓝光led芯片作为激发光源,通过封装试验研究了荧光粉发射波段、蓝光芯片波段、白光led色温和显色指数的关联性。在分析单一组分荧光粉制作的白光led的基础上,进一步对双组分荧光
https://www.alighting.cn/resource/20121226/126240.htm2012/12/26 11:43:25
为最大可能提高大功率led路灯发光板的电光转化率与散热效率,在不影响外量子效率前提下对led芯片设计采用扩大led芯片面积,以及电极优化技术增加led芯片的出光量,使芯片表面热
http://blog.alighting.cn/143698/archive/2012/7/23/283119.html2012/7/23 21:27:09
白光led正朝着更高光效、更好光色品质、更高封装密度和更高信赖性方向发展。其中的氮化物红色荧光粉的性能直接影响到白光led的光效、色温、显色指数以及使用寿命，特别是其抗高温高湿性能
https://www.alighting.cn/news/20160411/139150.htm2016/4/11 14:48:10
