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n芯片的替代品。hvpe的缺点是很难精确控制膜厚，反应气体对设备具有腐蚀性，影响gan材料纯度的进一步提高。3.选择性外延片生长或侧向外延片生长技术采用这种技术可以进一步减少位元
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
a公司垄断，而且这种方案的一个原理性的缺点就是该荧光体中ce3+离子的发射光谱不具连续光谱特性，显色性较差，难以满足低色温照明的要求，同时发光效率还不够高，需要通过开发新型的高效荧光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00
响。图3为ca、sr比不同的情况下在460nm蓝光激发时该荧光粉的发射光谱。随着钙含量的增加，发射峰朝长波方向移动，且发射明显增强。图4为ca、sr比不同的情况下该荧光粉的激发光
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120556.html2010/12/13 23:05:00
常抗静电大于700v的leD才能用于leD灯饰。 3、波长 波长一致的leD，颜色一致，如要求颜色一致，则价格高。没有leD分光分色仪的生产商很难生产色彩纯正的产品。 4、漏电电
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00
行区照明首次应用的leD三防（防水、防震、防尘）隧道照明灯，也是新力光源为成都地铁量身打造，比原设计使用灯具节能37%以上，寿命长达3.5万小时，是原设计产品的6倍以上。 作
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/12/14/120770.html2010/12/14 15:21:00
机 src="http://www.leDgb.com/aDmin/aDminprofile/201007210044319399.jpg" wiDth=500 leD支架电镀 （3）leD背光源以高效侧发
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120856.html2010/12/14 21:42:00
可以感觉到；而对于波长为650nm的红光，当颜色变化在3nm的时候，人眼才能察觉到。 在早期，由于leD主要被用作指示或显示灯用，而且一般以单颗器件出现，所以对于其波长的分
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热系数的金属材料如铜或铝。 3、衬底粘接材料对大功率leD热特性的影响 leD倒装芯片被粘在管座（器件内部热沉）里，可以通过三种方式：导热胶粘贴、导电型银浆粘贴和锡浆粘贴。导热
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
计，这样一来lcD的厚度就能做到更薄，同时还拥有更高的可靠性和稳定性。 其次，在发光寿命方面，leD背光技术则超越了ccfl，是ccfl技术的提升。普通的ccfl背光的寿命基本在3万
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行自我诊断。 另外tlc5941还提供了gclk管脚，输入一个时钟信号可以同步pwm的产生。 3 基于tlc5941的动态扫描驱动电路 本设计对象是64
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