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半导体照明产业如何赢得市场:上游之路

led上游产业主要是指led发光材料外延制造和芯片制造。由于外延工艺的高度发展,器件的主要结构如发光层、限制层、缓冲层、反射层等均已在外延工序中完成,芯片制造主要是做正、负电

  https://www.alighting.cn/news/201054/V23589.htm2010/5/4 10:55:52

led照明的发展历程(图)

1907年henry joseph round 第一次在一块碳化硅里观察到电致发光现象。由于其发出的黄光太暗,不适合实际应用;更难处在于碳化硅与电致发光不能很好的适应,研究被摒弃了

  https://www.alighting.cn/news/2008723/V16699.htm2008/7/23 10:25:13

优化高亮度led驱动器设计方案(图)

在各种不同类型的光源中,高亮度led(发光二极管) 目前增长势头良好,正开始替代白炽灯、卤素灯、荧光灯、 hid氙气灯等其它种类的光源。过去,由于受到光线输出的限制,led 只适

  https://www.alighting.cn/news/200855/V15456.htm2008/5/5 10:36:03

led背光光源技术的探讨(图)

在以led作为背光光源的小尺寸lcd产品中,发光再加上光导板的发光模式已成为主要的背光光源系统,不过其光的利用率仅为50%,但因背光光源在面板面,所以背光模块的厚度可控制得

  https://www.alighting.cn/news/2008114/V13680.htm2008/1/14 10:04:02

中功率led背光源极佳解决方案(图)

发光二极管(led)用作lcd面板背光源技术现阶段非常热门,要使用什么样的led模块、光学架构如何设计,怎么样能让发光效率高、颗数少、但又不能够太厚,这些条件成为技术设计上必

  https://www.alighting.cn/news/20071211/V13120.htm2007/12/11 9:38:41

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01

同和电子开始样品供货深紫外led芯片

同和(dowa)控股的子公司——同和电子生产的发光波长为300n~350nm的深紫外led芯片达到了实用水平,现已开始样品供货。输入电流为20ma时,发光波长320n~350n

  https://www.alighting.cn/news/2010319/V23158.htm2010/3/19 9:03:00

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