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大功率led照明调光技术发展与未来

剧。如图二为Cree公司的led光源光衰曲线。从图中可以看出,led的光衰和它的结温有密切的关系,所谓结温就是半导体pn结的温度,结温越高,led光源越早出现光衰,也就是寿命越短。从图

  http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222108.html2011/6/19 23:26:00

led百科

造白光的关键技术,即当前各大led制造公司追逐的“蓝光技术”。目前国际上掌握“蓝光技术”的厂商仅有少数几家,比如日本的日亚化学、日本的丰田合成、美国的Cree、德国的欧司朗等,所以

  http://blog.alighting.cn/lanyunsz/archive/2011/7/6/228855.html2011/7/6 17:44:00

高亮度高纯度白光led封装技术研究

制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled),具体做法是:第一步,在p型外延层上沉积厚度大于50nm的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀p型

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230482.html2011/7/20 23:12:00

高亮度高纯度白光led封装技术研究

制出了a1gainn功率型倒装片结构led(fcled),具体做法是:第一步,在p型外延层上沉积厚度大于50nm的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀p型

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/8/18/232671.html2011/8/18 1:26:00

全球led芯片品牌名单汇总

s),genelite,欧司朗(osram),gelcore,首尔半导体等,普瑞,韩国安萤(epivalley)等。1、Cree  着名led芯片制造商,美国Cree公司,产品以碳化硅(si

  http://blog.alighting.cn/wan/archive/2011/12/14/257862.html2011/12/14 11:51:55

大功率led封装以及散热技术

型gan:mg淀积厚度大于500a的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258628.html2011/12/19 11:09:50

大功率led封装以及散热技术

型gan:mg淀积厚度大于500a的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261445.html2012/1/8 21:33:10

大功率led封装以及散热技术

型gan:mg淀积厚度大于500a的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262616.html2012/1/29 0:33:42

2012年led灯价格预计下降20—30%

良率将会提高,成本将会慢慢降下来。预计2012年第二、三季度之后,这个市场将会越来越稳定。目前Cree和osram也在做高压led,国内也有2到3家在做。我们目前有一些使用高压le

  http://blog.alighting.cn/87771/archive/2012/2/13/263998.html2012/2/13 10:27:30

大功率led封装以及散热技术

型gan:mg淀积厚度大于500a的niau层,用于欧姆接触和背反射;第二步,采用掩模选择刻蚀掉p型层和多量子阱有源层,露出n型层;第三步,淀积、刻蚀形成n型欧姆接触层,芯片尺寸为1×

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271718.html2012/4/10 23:24:08

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