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本文通过实验，仔细研究了衬底特性、生长温度和应变补偿层对晶片弯曲的影响。以改善光输出的均匀性。
https://www.alighting.cn/resource/20141110/124115.htm2014/11/10 11:41:33
于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
摘要：gan具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:52:36
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
该委员会由来自led行业的多家公司组成，涵盖了hb-led器件生产、蓝宝石衬底生产、mocvd制程，及关键设备、原材料供应商。
https://www.alighting.cn/news/20101125/109997.htm2010/11/25 0:00:00
为了改善led芯片本身的散热，其最主要的改进就是采用导热更好的衬底材料。早期的led只是采用si硅作为衬底。后来就改为蓝宝石作为衬底。但是蓝宝石衬底的导热性能不是太好，(在100
https://www.alighting.cn/resource/20140526/124550.htm2014/5/26 11:11:04
通过研究蓝宝石衬底分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬底mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45
展望2009年，牛津仪器针对6英吋衬底设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石衬底，并在gan沉积之前帮助衬底产生图案化特徵。一旦沉积完成，设备也能对蓝宝
https://www.alighting.cn/news/20081229/105808.htm2008/12/29 0:00:00
