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大功率led关键技术mocvd最新进展

高亮度led的关键制造技术之一是 mocvd 技术。由于整个竖式led结构采用mocvd技术生长,这种技术不仅仅决定led的质量和性能,而且在很大程度上决定led制造的产量和成本。

  https://www.alighting.cn/resource/20100712/127932.htm2010/7/12 15:03:31

我国超高亮度led外延芯片国产化的回顾与展望

来自中国光协光电(led)器件分会的张万生对我国超高亮度led外延芯片国产化的进程进行了回顾与展望,不错的资料,现在分享给大家,欢迎大家下载附件查看详情。

  https://www.alighting.cn/2013/3/19 11:23:09

乾照光电决意进军蓝绿光led外延芯片市场

不甘心缺席充满想象空间的照明用芯片市场,中国大陆规模最大的红黄光芯片厂乾照光电(300102)终于决定进军蓝绿光led外延芯片市场了。

  https://www.alighting.cn/news/20140227/111019.htm2014/2/27 14:53:08

冠铨光电成功生产出第一炉4寸led外延

近日,济宁高新区联电科技园核心企业冠铨(山东)光电科技有限公司成功研制出4寸led 外延片,并生产出第一炉。

  https://www.alighting.cn/news/20121126/114264.htm2012/11/26 14:48:54

合肥彩虹蓝光高亮度氮化镓基led外延片试产成功

合肥彩虹蓝光led项目于2010年8月30日在合肥新站综合开发试验区正式动工建设,经过一年奋战, 实现了首批高亮度氮化镓基led外延片的一次试产成功。

  https://www.alighting.cn/news/20110927/116152.htm2011/9/27 13:34:51

好消息:中国第一片大尺寸940nmvcsel外延实现量产

中国第一片自主知识产权4英寸940nm vcsel垂直腔面发射激光器外延在中科芯电量产试制成功,近日将迅速送到台湾地区和内地下游厂家进行流片测试。

  https://www.alighting.cn/news/20171229/154556.htm2017/12/29 9:36:36

led外延结构的内量子效率的提高方法

led产品外延结构的的内量子效率(iqe)对其亮度有着决定性的影响,而很多人的误解是iqe由mocvd工艺决定,其实iqe应该是由led照明外延材料的设计决定。而国内缺少的恰

  http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11

浪潮华光国家级电子信息产业振兴和技术改造项目通过验收

3月20日上午,浪潮华光承担的国家发改委2011年电子信息产业振兴和技术改造项目——“高亮度、功率型蓝光led外延及芯片扩产”项目顺利通过主管部门验收。

  https://www.alighting.cn/news/20130327/113128.htm2013/3/27 18:18:00

蓝宝石衬底的图形化技术在gan基led上的应用

针对于目前蓝光led所使用的蓝宝石衬底存在以下两个问题,蓝宝石和gan存在着17%的晶格不匹配,直接在蓝宝石衬底上生长出来的外延缺陷严重。出光效率低下,大部分光被限制在led芯片

  https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14

蓝宝石衬底深度研究报告

通常,gan基材料和器件的外延层主要生长在蓝宝石衬底上。蓝宝石衬底有许多的优点:首先,蓝宝石衬底的生产技术成熟、器件质量较好;其次,蓝宝石的稳定性很好,能够运用在高温生长过程

  https://www.alighting.cn/resource/20110726/127395.htm2011/7/26 11:57:10

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