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本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
中国国家「863」半导体照明工程重点专案「氮化鎵-mocvd深紫外led材料生长设备」制造取得重大突破，研制成功了大陆首台具有自主知识产权的、能够同时生长6片led外延
https://www.alighting.cn/news/20080414/93175.htm2008/4/14 0:00:00
由 “十一五”国家863计划新材料领域项目支持，中国科学院半导体研究所承担的“高效氮化物led材料及芯片关键技术”创新团队项目课题近日顺利通过验收。
https://www.alighting.cn/news/201296/n569243150.htm2012/9/6 10:44:40
近日，住友化学宣称将收购日立金属的复合半导体材料业务，涉及的复合半导体材料包括氮化镓(gan)基板、氮化镓外延片、砷化镓(gaas)外延片等。吸纳日立金属最先进的氮化镓基板技术
https://www.alighting.cn/news/20150318/83539.htm2015/3/18 9:54:15
联创光电(600363)是国家火炬计划重点高新技术企业，国家“863计划”成果产业化基地，国家“铟镓氮led外延片
https://www.alighting.cn/news/20071026/V4067.htm2007/10/26 9:43:16
中国科学院在中国率先突破以氮化物为主的半导体外延材料生长及掺杂、芯片结构设计及机理验证、测试及封装等关键技术，实现了150lm/w以上的led高效发光;成功制备了中国首个300n
https://www.alighting.cn/pingce/20120917/123060.htm2012/9/17 10:00:36
基于白光发光二极管技术的迅速发展以及荧光粉对白光led器件的发光效率、显色性和使用寿命等性能的决定性影响,系统阐述了蓝光led芯片激发用铝酸盐、硅酸盐、氮化物和氮氧化物系列黄色
https://www.alighting.cn/resource/20121222/126242.htm2012/12/22 18:05:07
