检索首页
阿拉丁已为您找到约 2993条相关结果 (用时 0.0099577 秒)

不同衬生长zno薄膜的结构与发光特性研究

采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬上的zno薄膜结

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44

史上最全led散热问题(一)

为了改善led芯片本身的散热,其最主要的改进就是采用导热更好的衬材料。早期的led只是采用si硅作为衬。后来就改为蓝宝石作为衬。但是蓝宝石衬的导热性能不是太好,(在100

  https://www.alighting.cn/resource/20140526/124550.htm2014/5/26 11:11:04

6英寸蓝宝石衬led制造的转移被推迟

rubicon面临的主要困难是主要制造商推迟了向6英寸蓝宝石衬led制造的转移,只有德国的欧司朗光电半导体已经实现了这一转移。rubicon称其向led制造商供应的6英寸蓝宝

  https://www.alighting.cn/news/20120228/99664.htm2012/2/28 13:41:42

基于si衬的功率型gan基led制造技术

1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来,led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬或sic衬上制造的。

  https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22

npss-纳米图形化蓝宝石衬——2019神灯奖申报技术

npss-纳米图形化蓝宝石衬,为山东元旭光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190313/160796.htm2019/3/13 10:10:10

蓝宝石衬分子束外延生长gan薄膜的原位椭偏光谱分析

通过研究蓝宝石衬分子束外延(mbe)生长gan薄膜过程中原位椭偏光谱,发现常规蓝宝石衬mbe生长gan薄膜的位错缺陷主要起源于缓冲层升温过程中应变能的释放程度。采用蓝宝石邻晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127403.htm2011/7/22 14:04:45

牛津仪器针对6英吋衬设备首次推出hvpe设备

展望2009年,牛津仪器针对6英吋衬设备首次推出hvpe设备。oipt的等离子设备能用来刻蚀蓝宝石衬,并在gan沉积之前帮助衬产生图案化特徵。一旦沉积完成,设备也能对蓝宝

  https://www.alighting.cn/news/20081229/105808.htm2008/12/29 0:00:00

国内首台高端led芯片制造用icp刻蚀机交付使用

足蓝宝石衬图形化刻蚀、si衬刻蚀以及gan基外延层刻蚀等led领域所有刻蚀应

  https://www.alighting.cn/news/20100608/119238.htm2010/6/8 0:00:00

科锐升级供gan-on-sic hemt器件的工艺设计套件

计自动化工具),以实现科锐碳化硅衬氮化镓 mmic 加工性

  https://www.alighting.cn/pingce/20120718/122287.htm2012/7/18 9:41:18

saphlux研发新技术 攻克中村修二未解难题

司saphlux,研发了一种新技术,可以在标准的大尺寸蓝宝石衬上直接生长半极性氮化镓,解决了量产难

  https://www.alighting.cn/pingce/20160812/142812.htm2016/8/12 10:03:52

首页 上一页 31 32 33 34 35 36 37 38 下一页