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led芯片的技术发展状况

随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波长625 nm algainp基超高亮度发光二极管的内量子效率可达到100%,已接近极

  https://www.alighting.cn/resource/20130304/125965.htm2013/3/4 15:03:29

基于芯片与封装的两种led分选方法

led通常按照主波长、发光强度、光通亮、色温、工作电压、反向击穿电压等几个关键参数进行测试与分选。led的测试与分选是led生产过程中的一项必要工序。目前,它是许多led芯片和封

  https://www.alighting.cn/2013/2/27 10:58:01

gan氮化镓(gallium nitride)

由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm),比硅(si)要宽3倍。利用该特性,gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和

  https://www.alighting.cn/2013/1/25 13:18:42

有机el照明的发展动向

点光源led蕴藏优秀发展潜力,不过单一led不易取得面光源,必须使用复数led散热、波长漂移、驱动电路与光学设计复杂等缺点,因而促进有机半导体构成的有机el快速发展。

  https://www.alighting.cn/2012/10/11 16:20:33

分享:一款新型led照明驱动的设计

虑了ledi芯片在工作中随温度上升而产生发光衰减、输出波长漂移、流明衰减等实际问题,并作出相应的补偿。实现了一定程度上的灰度调

  https://www.alighting.cn/resource/20120813/126468.htm2012/8/13 16:28:25

浅析:led外延片介绍及质量辨别

良品的外延片就要开始做电极(p极,n极),接下来就用激光切割外延片,然后百分百分捡,根据不同的电压,波长,亮度进行全自动化分检,也就是形成led晶片(方片)。然后还要进行目测,

  https://www.alighting.cn/resource/20110920/127115.htm2011/9/20 11:55:56

gan led量子阱光发射模型

拟结果表明led的光发射效率和波长依赖于有源区in组分变化引起的势能涨落和阱尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20110916/127131.htm2011/9/16 15:14:50

led用蓝宝石晶体衬底激光划片工艺

本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20

led技术发展概述

介绍了led的技术发展过程,从材料的发展到波长的扩展;从gan基蓝光led、荧光粉到白光led的实现;元件结构的改进对发光效率的提升;工艺的发展对单色功率的提升。同时对封装材料

  https://www.alighting.cn/resource/20110830/127231.htm2011/8/30 13:50:08

led在植物中应用的研究进展

在农业生产活动中使用led光源,能够几种有效波长实施均衡近距离照射,达到高效能、低热负荷和紧凑空间的集约化植物生产,能够促进植物给为健康的生长与发育,增加自身抗病力和抵抗逆境的能

  https://www.alighting.cn/resource/20110704/127462.htm2011/7/4 19:02:04

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