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括独立封装的红、绿、蓝光led，每个芯片的尺寸为 5.4mm2。当三种芯片结合时，芯片组在脉冲模式下可产生光通量峰值为1400lm的白
https://www.alighting.cn/news/20070822/94914.htm2007/8/22 0:00:00
亿光董事长叶寅夫早期所做预期认为，高亮度蓝光led将缺货 到2010年下半年。为确保上游晶粒来源取得无虞，台湾四大上游外延厂，亿光迅速卡位晶电、广镓和泰谷三家。亿光持有晶电近8
https://www.alighting.cn/news/20090629/94981.htm2009/6/29 0:00:00
t芯片组包括独立封装的红、绿、蓝光led，每个芯片的尺寸为5.4 mm2。当三种芯片结合时，芯片组在脉冲模式下可产生光通量峰值为1400lm的白
https://www.alighting.cn/news/20070827/95851.htm2007/8/27 0:00:00
针对将获cree公司蓝光led订单并将于2008年开始出货的传言，近日，台湾led上游大厂晶元光电出面否认了这一传言，申明目前并没有与cree公司在蓝光led方面合作。、
https://www.alighting.cn/news/20071022/107039.htm2007/10/22 0:00:00
日本shimei semiconductor开发出了一种在硅晶圆上生成的蓝光led，并计划明年4月上市。该公司声称，把硅晶圆作为gan外延附生的基板，可以显著降低成本、简化le
https://www.alighting.cn/news/2007210/V7950.htm2007/2/10 13:28:59
欧司朗光电半导体的蓝光高电流芯片成功跻身于全球最低正向电压行列。由此，芯片效率最高可提升八个百分点。优化版氮化铟镓 (ingan) 芯片搭载 ux:3 芯片技术，是蓝/白光 le
https://www.alighting.cn/news/20150325/83777.htm2015/3/25 10:26:24
昨日，拥有台资背景与台湾团队的晶蓝光电，在福建晋江为投资的新厂正式开工。该新厂占地250亩，主要生产led芯片和功率半导体芯片等产品，总投资额为5.5亿美元。
https://www.alighting.cn/news/20091230/107509.htm2009/12/30 0:00:00
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的gan薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和gan之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
现在，对于ingan/yag白色led，通过改变yag荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000k的各色白光。这种通过蓝光led得到白光的方法，构造简
https://www.alighting.cn/news/20091228/V22369.htm2009/12/28 15:30:17
近日，台湾汉晶光电有限公司年产4英寸蓝光led芯片1.92万片项目落户福建云霄县，计划投建30台mocvd，其中第一期预计投产15台mocvd。
https://www.alighting.cn/news/20110422/115765.htm2011/4/22 10:56:04
