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ⅲ 族氮化物半导体材料广泛用于紫、蓝、绿和白光发光二极管，高密度光学存储用的紫光激光器，紫外光探测器，以及高功率高频电子器件。然而由于缺乏合适的衬底，目前高质量的gan膜通常都生
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/126998.html2011/1/12 0:46:00
半导体照明是一种基于半导体发光二极管新型光源的固态照明，是21世纪最具发展前景的高技术领域之一，已经成为人类照明史上继白炽灯、荧光灯之后的又一次飞跃。衬底作为半导体照明产业技术发
https://www.alighting.cn/resource/20060627/128937.htm2006/6/27 0:00:00
本文通过实验，仔细研究了衬底特性、生长温度和应变补偿层对晶片弯曲的影响。以改善光输出的均匀性。
https://www.alighting.cn/resource/20141110/124115.htm2014/11/10 11:41:33
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。但蓝宝石由于硬度高、导电
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目获国家技术发明一等奖，标志着江西省科技发展实现了历史性跨越。1月8日，笔者获悉，为推进江西省拥有自主知识产权的硅基led原创技术优势加
https://www.alighting.cn/news/20160111/136290.htm2016/1/11 10:27:02
于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介绍了si衬底gan基材料生长及特性方面的研究现
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230350.html2011/7/20 0:22:00
摘要：gan具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底gan基材料及器件的研制将进一步促进gan基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
外延也称为外延生长，是制备高纯微电子复合材料的一工艺过程，就是在单晶(或化合物)衬底材料上淀积一层薄的单晶(或化合物)层。新淀积的这层称为外延层。淀积有外延层的衬底材料叫外延片。
https://www.alighting.cn/2014/5/19 10:52:36
采用射频磁控溅射方法分别在蓝宝石(al2o3)(0001)和硅(100)衬底上制备zno薄膜.通过x-光衍射测量与分析表明两者都沿c轴方向生长,在al2o3衬底上的zno薄膜结
https://www.alighting.cn/resource/20130123/126126.htm2013/1/23 13:45:44
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或sic衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
