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子阱结构，虽然其内量子效率还需进一步提高，但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率，改善芯片的热特性，并通过增
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22
基led外延片(其主要结构包括：n-gan、量子阱和p-gan)。通过这种方式可以实现一次性生长具有不同结构的量子阱
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126666.htm2012/3/14 14:36:30
内。导致生长的量子阱质量下降，同时会导致漏电严重，出光率降
https://www.alighting.cn/resource/20120314/126667.htm2012/3/14 13:45:14
起的。 1. 内部量子效率不高，也就是在电子和空穴复合时，并不能100%都产生光子，通常称为由“电流泄漏”而使pn区载流子的复合率降低。泄漏电流乘以电压就是这部分的功率，也就是转化为热
http://blog.alighting.cn/cwlvxue2008/archive/2012/3/12/267555.html2012/3/12 19:16:18
http://blog.alighting.cn/25852/archive/2012/3/10/267444.html2012/3/10 10:14:59
近日，旭明光电宣布在额定电压3.3v，额定功率500mw, 电流350ma的测试环境中，开发出40%外量子效率，波长为390-420nm uv led芯片。
https://www.alighting.cn/news/20120222/99710.htm2012/2/22 10:13:10
1991年，日亚公司研制成功同质结gan基蓝光led，峰值波长430nm，光谱半宽55rim，其光输出功率为当时市场上sicled的10倍，外量子效率约为0．18％。 1995
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
将逐渐成为市场主流，目前75w与100w照明产品的替代品也将陆续登场。一直阻碍led照明产品进入通用照明领域的价格问题，有望在未来五年内得以解决。 深圳市全彩光电科技有限公司从
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263593.html2012/2/4 14:47:45
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56
势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262766.html2012/1/29 0:43:43
