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氧化对ganled透明电极接触特性的影响

研究了热退火对ingan/gan多量子阱led的ni/au p gan欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au p

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

led倒装技术及工艺

近年来led在电视机背光、手机、和平板电脑等方面的应用也迎来了爆发式的增长,led具有广阔的应用发展前景。

  https://www.alighting.cn/2015/3/17 10:03:10

中山获省级以上科技扶持资金发展led业

记者从中山市科技局获悉,今年以来将本市一些起点高、带动强,具有战略性、先导性、全局性的优质项目申报广东省级以上各类科技计划,以带动中山战略性新兴产业规模化发展和科技型中小企业的整体

  https://www.alighting.cn/news/20130110/99150.htm2013/1/10 13:24:55

告别蓝宝石 首款硅白光led封装产品上市销售

东芝公司(toshiba corporation)15日宣布,该公司将开始销售白色发光二极管(led)封装产品,为通用和工业led照明解决方案供应商提供一种颇具成本竞争力的产品,来

  https://www.alighting.cn/news/20121217/n630546938.htm2012/12/17 16:31:01

gan功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

gan倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

gan led及光萃取技术实现高性价比照明

传统的氮化镓(gan)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底,因为这两种材料与gan的晶格匹配度较好,衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6"

  https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42

p层厚度对sigan垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

晶能光电:大尺寸硅衬底氮化镓led

全球的led产业正在展开一场生死战。技术为王,战略取胜,在6月9日-10日举行的新世纪led高峰论坛“外延芯片技术及设备材料最新趋势”的主题峰会上,晶能光电有限公司将应邀作精彩演讲

  https://www.alighting.cn/news/20130531/85317.htm2013/5/31 14:12:14

采钰科技发表8英寸晶圆级led硅封装技术

记者近日特别专访采钰科技总经理暨执行长林俊吉先生、研发暨品保组织副总经理谢建成博士与事业发展二处处长曾德富先生,深入探讨晶圆级led封装的优势以及未来led 封装市场趋势。

  https://www.alighting.cn/news/20100917/118477.htm2010/9/17 0:00:00

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