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数是小于15瓦的。所以等于没有提出要求。唯独出现leD灯具以后反而严格要求起来了，只有在5瓦以下才不要求，5w以上必须要求功率因数0.7。而leD灯具除了很小的mr16射灯是3瓦以
https://www.alighting.cn/resource/2013/6/3/10514_75.htm2013/6/3 10:51:04
m):gDi691(x%)/alq3(20 nm)/lif(1 nm)/al(50 nm),其中x%为发光层掺杂浓度,分别取1、2、3和4
https://www.alighting.cn/2013/5/28 14:15:17
用化学共沉淀法一次煅烧工艺合成了(y1-x-y,gDy)2o3∶xeu3+(x=0.06～0.10,y=0,0.20～0.25)系列红色荧光粉。用xrD、sem和荧光分光光度计,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125562.htm2013/5/27 11:37:11
分析了脉冲激光作用下gan的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下gan/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
、学习探讨的交流盛会，其中上海诺意光电有限公司总工程师张轶伟就《决定leD电源品质的6大核心点》作演讲报告，他提出决定电源品质主要有6大核心点包括有：1、驱动控制芯片;2、变压器;3
https://www.alighting.cn/resource/2013/5/22/161242_91.htm2013/5/22 16:12:42
行接口与显示模块连接。当系统需要访问该接口控制电路时,只需将mpu的数据口与系统数据线相连即可。该系统驱动程序包括初始化、清ram和显示3部
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125579.htm2013/5/22 13:22:27
石,缓冲层为aln,n型层采用厚度为0.8μm的si掺杂al0.3ga0.7n形成窗口层,i型层为0.18μm的非故意掺杂的gan,p型层为0.15μm的mg掺杂gan。采用cl2、a
https://www.alighting.cn/resource/20130522/125583.htm2013/5/22 10:23:13
zno作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高zno半导体器件的性能,必
https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56
文章浅析了leD驱动器的输出纹波和噪声,给出常见的3种测量方法,通过比较分析确定准确的测量方法。
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125600.htm2013/5/15 14:25:54
通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了zno薄膜,我们用x射线衍射(xrD)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te
https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09
