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GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/resource/20140915/124307.htm2014/9/15 10:17:12

GaN元件和amo技术实现更高效率与宽频

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/8/28 11:07:01

GaN组件和amo技术实现更高效率与宽带

透过提高效率来减少功耗具有多项优势,首先,最明显的好处是降低运营成本;同时,更少的热意味着更低的设备冷却需求以及更高的可靠性。如果能够减少对于温度升高问题的关注度,那么无线业者在因

  https://www.alighting.cn/2014/7/28 10:33:22

GaN外延片的主要生长方法

止,mocvd是制备氮化镓发光二极管和激光器外延片的主流方法,从生长的氮化镓外延片和器件的性能以及生产成本等主要指标来看,还没有其它方法能与之相比。国际上mocvd设备制造商主要有三家:德

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00

bluglass获政府500万基金支持

2007年9月11日,澳大利亚bluglass公司(开发低成本制造GaN晶片方法)获得澳大利亚工业局(ausindustry) "commercial ready grant

  https://www.alighting.cn/news/20070916/117228.htm2007/9/16 0:00:00

提高发光二极管中GaN_材料质量的技术研究

本论文目标就是以方法简便为原则,探索无污染、低成本的提高GaN 材料晶体质量的方法。在具体的工作中,我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长GaN

  https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11

zno纳米线及其器件研究进展

zno既是半导体材料又是压电材料,在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质,使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对zno nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电机

  https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49

波兰top GaN公司制作GaN单晶衬底

top GaN是由unipress,隶属于华沙的波兰科学院的高压研究中心发展起来的,组建于2001年。

  https://www.alighting.cn/resource/20040712/128408.htm2004/7/12 0:00:00

led光源驱动设计及周边器件选择

led 在应用中需要选择合适的驱动ic,这也是设计led 驱动线路的第一步,首先确定以下几个参数:需要驱动多少颗led;预计驱动电流值;允许的供电电压范围;其它特殊要求。

  https://www.alighting.cn/resource/2010/12/6/15435_20.htm2010/12/6 15:43:05

中国led封装器件产业发展趋势分析

高压led产品的封装技术重点在于延续上述优点,此外更应提供消费者更多的便利性,使得不同区域在不同的电压操作条件下,都能得到快速且方便的应用。例如亿光电子推出的4w产品,可直接利用电

  https://www.alighting.cn/news/20141128/n923667585.htm2014/11/28 9:25:22

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