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zno既是半导体材料又是压电材料，在nm尺度出现量子限域、小尺寸效应等新性质，使其成为低维结构研究领域的热门课题。本文对zno nw在发光二极管、太阳能电池、紫外激光器、纳米发电机
https://www.alighting.cn/resource/20130121/126146.htm2013/1/21 10:29:49
led 在应用中需要选择合适的驱动ic，这也是设计led 驱动线路的第一步，首先确定以下几个参数：需要驱动多少颗led;预计驱动电流值;允许的供电电压范围;其它特殊要求。
https://www.alighting.cn/resource/2010/12/6/15435_20.htm2010/12/6 15:43:05
高压led产品的封装技术重点在于延续上述优点，此外更应提供消费者更多的便利性，使得不同区域在不同的电压操作条件下，都能得到快速且方便的应用。例如亿光电子推出的4w产品，可直接利用电
https://www.alighting.cn/news/20141128/n923667585.htm2014/11/28 9:25:22
本论文目标就是以方法简便为原则，探索无污染、低成本的提高GaN 材料晶体质量的方法。在具体的工作中，我们系统研究了采用图形衬底技术、原位sinx 纳米掩膜技术等方法生长GaN 薄
https://www.alighting.cn/2013/3/8 10:33:11
1月27日消息，广东晶科电子股份有限公司于近日申请新三板挂牌，其挂牌材料于12月30日在全国股转系统披露。据悉，晶科电子成立于2006年8月30日，于2015年12月3日完成股改。
https://www.alighting.cn/news/20160127/136800.htm2016/1/27 11:38:20
荷兰莱顿大学医学中心(leiden university medical center，简称 “lumc”)研究员提出一项关于led在医疗应用领域的新发现，有助于调整心律失常。
https://www.alighting.cn/news/20190308/160709.htm2019/3/8 9:56:42
top GaN是由unipress，隶属于华沙的波兰科学院的高压研究中心发展起来的，组建于2001年。
https://www.alighting.cn/resource/20040712/128408.htm2004/7/12 0:00:00
因，对后期器件加工和应用带来很多不便，sic同样存在硬度高且成本昂贵的不足之处，而价格相对便宜的si衬底由于有着优良的导热导电性能和成熟的器件加工工艺等优势，因此si衬底GaN基le
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
近几年来，硅衬底GaN基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
