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变，其中一个值得注意的例子就是cree，其将led晶片放入封装中。过去许多高功率led厂商的设计趋势是使用垂直式led，其中的磊晶或碳化硅(SiC)基板已被去除，而led结构已接在另
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316607.html2013/5/6 10:33:58
http://blog.alighting.cn/zszmzk/archive/2013/5/6/316608.html2013/5/6 10:35:11
利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
此次，以备受关注的新一代功率器件SiC产品为首，罗姆重点展示了在中国市场具有良好发展前景的led·智能手机·汽车·新能源等领域的先进产品，充分显现了罗姆的卓越技术。
https://www.alighting.cn/news/20111117/n394435806.htm2011/11/17 13:40:23
1923 年，罗塞夫 (lossen.o.w) 在研究半导体 SiC 时有杂质的 p-n 结中有光发射，研制出了发光二极管 (led ： light emitting diod
https://www.alighting.cn/resource/20070123/128809.htm2007/1/23 0:00:00
1993年世界上第一只gan基蓝色led问世以来，led制造技术的发展令人瞩目。目前国际上商品化的gan基led均是在蓝宝石衬底或SiC衬底上制造的。
https://www.alighting.cn/news/2010628/V24194.htm2010/6/28 10:21:22
外延生长的基本原理是，在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和SiC，si)上，气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21193.htm2009/10/14 20:44:55
led芯片大厂美国cree公司在14-15日在日经电子和日经微器件共同举办的led技术研讨会2007上，介绍了在SiC底板上形成的蓝色led的开发状况，并展示了开发中的蓝色le
https://www.alighting.cn/news/20070620/105925.htm2007/6/20 0:00:00
美国cree公司在2007年6月14～15日“日经电子”和“日经微器件”共同举办的“led技术研讨会2007”上，介绍了SiC底板上形成的蓝色led的开发状况。
https://www.alighting.cn/news/20070620/121161.htm2007/6/20 0:00:00
近年，以氮化镓(gan)、碳化硅(SiC)等宽禁带化合物为代表的第三代半导体材料在引发全球瞩目，成为全球半导体研究前沿和热点，中国也不例外地快马加鞭进行部署。
https://www.alighting.cn/news/20160104/135902.htm2016/1/4 10:50:21
