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硅和锗两种二极管的特性曲线,两者有以下几点差异

1) 硅二极管反向电流比锗二极管反向电流小的多,锗管为ma级,硅管为na级。这是因为在相同温度下锗的ni比硅的ni要高出约三个数量级,所以在相同掺杂浓度下硅的少浓度比锗的少

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120870.html2010/12/14 21:47:00

国内外led相关标准现状,led行业标准

c devices-essential ratings and characteristics (1997-09) iec60747-5-2分立半导体器件及集成电路零部件5-2:光电器件—分类特征及要

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120868.html2010/12/14 21:46:00

硅衬底led芯片主要制造工艺

n缓冲层→生长n型gan→生长ingan/gan多量阱发光层→生长p型aigan层→生长p型gan层→键合带ag反光层并形成p型欧姆接触电极→剥离衬底并去除缓冲层→制作n型掺si

  http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00

不同灯光下颜色不同 商场买衣服遭遇“变色龙”

正应了"一白遮百丑"这句话,纯白光能让化妆品的效果看起来更明显。   ■小常识   灯光下衣服为何变色   因为衣服的面料里加入了一种光敏剂,光敏剂是一种高分化合物,它

  http://blog.alighting.cn/qudao/archive/2010/12/14/120753.html2010/12/14 14:23:00

河南市场迎来第一次大洗牌

连志刚的投资魄力。生意做到这个份上,已经是在做格局而非单纯做店了。而华丽灯饰生活广场规划为五大功能区,跟我当初对华丰的规划建议不谋而合。当年,华丰市场刚刚奠基的时候,我就对华丰董事长

  http://blog.alighting.cn/412165938/archive/2010/12/14/120667.html2010/12/14 9:25:00

led外延片生长基本原理

学、光学、化学、计算机多学科为一体,是一种自动化程度高、价格昂贵、技术集成度高的尖端光电专用设备,主要用于gan(氮化镓)系半导体材料的外延生长和蓝色、绿色或紫外发光二极管芯

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00

超高亮度alingap發光二極體晶粒

源、光學滑鼠、照明、lcd背光源、大樓燈飾、娛樂機燈飾、設備電腦/oa產品指示燈、汽車儀表板及車燈、消費性電產品指示燈、工業儀表設備等。不同於目前市面上as-typ

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120560.html2010/12/13 23:07:00

led护栏灯二极管封

率和透射率较高。选择不同折射率的封装材料和不同封装几何形状对光逸出效率的影响是不同的,发光强度的角分布也与管芯结构、光输出方式、封装透镜所用材质和形状有关。若采用尖形树脂透镜,可使

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00

led外延片技术发展趋势及led外延片工艺

d奠定扎实基础。可供uv光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的yag:ce体系高许多,这样容易使白光led上到新臺阶。6.开发多量阱型芯片技术 多量阱型是在芯片发光层的生

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

oled的关键零组件及材料

对于有机电致发光器件,我们可按发光材料将其分为两种:小分oled和高分oled(也可称为pled)。它们的差异主要表现在器件的制备工艺不同:小分器件主要采用真空热蒸发工

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00

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