站内搜索
镓（ingan ）led电容（caPacitance）。为了增加电容，韩国研究人员改变了在生长量子阱前的10nm厚的n型gan薄膜的硅掺杂浓度，浓度从3×1018 cm-3变到
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/22/45324.html2010/5/22 22:19:00
市、自治区。最畅销产品销售达8万平米，产品提供2年的质保，终身维护。 led显示屏，led大屏幕，led户内外显示屏广泛应用于舞台租赁、体育场、剧场、礼堂、报告厅、多功能厅、会
http://blog.alighting.cn/megoled/archive/2010/7/21/56987.html2010/7/21 15:12:00
备。2.氢化物汽相外延片(hvPe)技术 采用这种技术可以快速生长出低位元错密度的厚膜，可以用做采用其他方法进行同质外延片生长的衬底。并且和衬底分离的gan薄膜有可能成为体单晶ga
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00
led是一种场致发光光源，其发光原理是在P-n结两端加上正向电压，则P区中空穴会流向n区。而n区中的电子会流向P区。随着少数载流子和多数载流子的复合放出能量，其中一部分能量转化为
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127040.html2011/1/12 16:43:00
圆均匀性不够。发展趋势是 两个方向：一是开发可一次在反应室中装入更多个衬底晶圆生长,更加适合于规模化生产的技术,以降低成本；另外一个方向是高度自动化的可重复性的单片设备。2.氢化物
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
在目前的实际应用中，大功率led存在的问题主要表现在以下几个方面： 1.对保证led工作条件和对电源技术性的认知程度不足，造成产品在电源上的故障层出不穷。 2.对当今le
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/5/22/275792.html2012/5/22 16:06:38
被公认为是led器件的首选材料，led外延领域专利申请量也反映了这一技术现状。外延领域专利从功能层来看75%集中在n型层、P型层和有源层，其次为覆盖层和缓冲层(16%)，在电流扩展
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/11/1/295801.html2012/11/1 23:31:07
n brothers) 的数据,中国的广告业在过去5年中实现了15.5%的复合年增长率,而除了日本以外的亚太区的广告业增长率为9.2%,日本为负 的0.
http://blog.alighting.cn/aswei/archive/2013/1/14/307700.html2013/1/14 17:51:22
秀，作为消费者更关心的是成本。节约的电费都是可以看出来的，也很清晰，如果能有初始投资的费用就更好了。 2. 您认为工业照明的科学设计的关键在于哪里?这个案例是否有体现?具体如何体
http://blog.alighting.cn/201421/archive/2013/12/30/346754.html2013/12/30 17:48:17
以P管s1和n管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的宽长比为x(w／l)，s4的宽长比为y(w／
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120540.html2010/12/13 23:01:00
