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失效LED并购案例丛生

并不是每个并购案例都是一帆风顺的,也并不是每个并购案例都能够成功。

  https://www.alighting.cn/news/20141225/86552.htm2014/12/25 9:36:01

LED投影机优劣谈

提起投影机,这的确是个很成功的产品,但是一般来说灯泡寿命太短,使用成本太高买来用不合适。采用lcd或dlp投影技术的传统投影机都存在灯泡损耗问题。

  https://www.alighting.cn/news/20070919/94380.htm2007/9/19 0:00:00

LED芯片的结构及组成

LEDinside发佈新知识库文章[LED芯片的结构及组成]

  https://www.alighting.cn/news/20071203/104619.htm2007/12/3 0:00:00

沈阳方大投资LED失败

6月18日晚,方大集团预告上半年净利润将同比下降50%至80%。公司称业绩变动主要系董事会决定停止控股子公司沈阳方大半导体照明有限公司(下称沈阳方大)的经营,沈阳方大对相关资产减值

  https://www.alighting.cn/news/20120702/113342.htm2012/7/2 9:37:08

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基LED特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基LED;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

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