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提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233183.html2011/8/20 0:25:00

上下齐心再创高辉煌 抓住机遇引领长吉图发展

园以及吉林动漫游戏原创产业园、长春国家媒体产业园、长春科技创意文化产业园、长春软件与动漫服务外包产业园、东北亚国际标识和创意旅游产业园等6个产业园和“多多国”动漫主题公园,初步形

  http://blog.alighting.cn/chonghuan128/archive/2011/8/31/234431.html2011/8/31 17:06:00

上下齐心再创高辉煌 抓住机遇引领长吉图发展

及吉林动漫游戏原创产业园、长春国家媒体产业园、长春科技创意文化产业园、长春软件与动漫服务外包产业园、东北亚国际标识和创意旅游产业园等6个产业园和“多多国”动漫主题公园,初步形成文化

  http://blog.alighting.cn/pentiumD/archive/2011/9/6/235674.html2011/9/6 19:59:17

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258469.html2011/12/19 10:54:58

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258617.html2011/12/19 11:09:24

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261455.html2012/1/8 21:36:18

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

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