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lb/t 004-2010 半导体照明试点示范工程LED道路和隧道照明现场检测及验收实施细则

本《LED 道路和隧道照明现场检测及验收实施细则》为半导体照明试点示范工程半导体照明产品系列技术规范之一，后续还将出台针对半导体照明试点示范工程的系列技术规范。

https://www.alighting.cn/news/20120427/109362.htm2012/4/27 10:43:32

日亚化将成6.1寸iphone 0.3t LED芯片独家供应商

据业内人士透露，日亚化将成为于2018年第三季度推出的新款6.1英寸iphone ltps-lcd面板背光的0.3t LED芯片的独家供应商。

https://www.alighting.cn/news/20180711/157593.htm2018/7/11 10:07:04

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

LED芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片，研究单位的水平为蓝光6 mw左右，绿光1～2 mw，紫光1～2 mw。　　随着外延生长技术和多量子阱结构的发展，超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善，

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

LED灯具向室内照明发展的技术要求

是芯片本身；二是灯具技术，包含散热、光学、驱动。首先是芯片，目前，LED芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅，发展到氧化锌、氮化镓等新

http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32

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