站内搜索
用,最大的阻力在于成本、功耗和散热三项。光源亮度要求的降低,可以减少led的采用数量,功耗和散热的瓶颈迎刃而解,成本可以大幅降低。同时,数量的减少更可以降低控制电路的复杂程度,增强系
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229940.html2011/7/17 23:26:00
右,封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要,以往多 采用减少其驱动电流的办法,降低结温,多数led的驱动电流限制在20ma左右。但是,led的光输出会随电流的增大而增加,目前,很
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229939.html2011/7/17 23:25:00
型氮化镓led器件采用倒装焊技术解决散热问题,而是采用上下电极结构,可以比较好的解决功率型氮化镓led器件的散热问题,故在发展中的半导体照明技术领域占有重要地位。目前国际上能提供商
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229932.html2011/7/17 23:23:00
度随之增加,影响颜色鲜艳度。另外,当正向电流流经pn结,发热性损耗使结区产生温升,在室温附近,温度每升高1℃,led的发光强度会相应地减少1％左右,封装散热；时保持色纯度与发光强度非
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229929.html2011/7/17 23:21:00
光,但这种设计方式的灯具分布光度也不会优于传统的道路灯具,并且由于在一个很小的区域内集成了高密度的led,使led的散热情况明显不良,不仅影响到led的发光效率,而且也往往影响到le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229927.html2011/7/17 23:20:00
米以下的紫外led。由于sic衬底有益的导电性能和导热性能,可以较好地解决功率型gan led器件的散热问题,故在半导体照明技术领域占重要地位。同蓝宝石相比,sic与gan外延膜的晶
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229923.html2011/7/17 23:18:00
2 功率开关原件设计 开关电源中的功率开关元件主要是功率晶体管、功率mosfet、功率igbt。本设计中选功率三极管e13007, 同时配上散热片。开关频率定为40khz。 3.
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229919.html2011/7/17 23:13:00
式晶圆黏贴技术,成功氧作出高反射率且散热良 好的新型超高亮度led。在 制程成本及复杂方面,还可以比美、日等国降低不少成本,甚至在?a品良率、省电效率、发光等效能上,都不逊於美、
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229916.html2011/7/17 23:12:00
时也会达到800℃∼900℃,在这样的高耗电机构下,就必须使用交流(ac)电源驱动,及复杂的电源电路和必要的散热解决方案。且因超高压水银灯和荧光灯发光的原理是一样的,所以依靠汞的激
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229912.html2011/7/17 23:10:00
