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led外延生长基本原理

led外延生长基本原理 led外延生长的基本原理是,在一块加热至适当温度的衬底基(主要有红宝石和SiC两种)上,气态物质in,ga,al,p有控制的输送到衬底表面,生长

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120564.html2010/12/13 23:08:00

科学选用led光源和灯具

及国产的晶价格低于日、美。8、晶大小 晶的大小以边长表示,大晶led的品质比小晶的要好。价格同晶大小成正比。9、胶体 普通的led的胶体一般为环氧树脂,加有抗紫外线及防

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120557.html2010/12/13 23:06:00

led光源在城市景观照明中的应

d。1994年蓝光led的研制成功使白光led的开发成为可能。1996年日本nichia(日亚)公司成功开发出二波长白光(基于蓝光单晶衬底上加以yag黄色荧光粉混合产生白光)led并成

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120558.html2010/12/13 23:06:00

再谈发展我国ingaalp红光led的问题

状  ingaalp超高亮度红(橙、黄)光led问世于1991年,经过改进的结构如图1所示。我国起步于1996年,南昌欣磊公司首先用进口的ingaalp外延制成芯,1998年国内第一台生产

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120547.html2010/12/13 23:04:00

led护栏灯二极管封

业目标是达到年产300亿只的生产水平,实现超高亮度aigslnp的led外延和芯的大批量生产,年产10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120544.html2010/12/13 23:03:00

led外延技术发展趋势及led外延工艺

从led工作原理可知,外延材料是led的核心部分,事实上,led的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。外延技术与设备是 外延制造技术的关键所在,金属有

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120542.html2010/12/13 23:02:00

研诺推出高电流wled闪光灯驱动器aat1271/72

t1272两个产品的额定工作温度范围是-40oc到+85oc,采用3x3-mm、14管脚的tdfn封装。aat1271和aat1272订货量为1000时每单价为1.49美

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120536.html2010/12/13 23:00:00

发光立体字和发光标识(logo)的简要制作流程

塑边条、亚克力板或有机做好的立体字上盖扣上并钉好,安装在所需场所。将变压器选择合适的电压接通电源。 这样,发光立体字或发光标识(logo)就制作完成。 采用压克力工艺成型立体发光

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led芯制造流程

需的材料源(碳化硅SiC)和各种高纯的气体如氢气h2或氬气ar等惰性气体作为载体之后,按照工艺的要求就可以逐步把外延做好。接下来是对led-pn结的两个电极进行加工,并对led毛

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

改善散热结构提升白光led使用寿命

体内容分别是:降低晶到封装的热阻抗、抑制封装至印刷电路 基板 的热阻抗、提高晶的散热顺畅性。为了要降低热阻抗,许多国外led厂商将led晶设在铜与陶瓷材料氧成的散热

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