检索首页
阿拉丁已为您找到约 13932条相关结果 (用时 0.0121704 秒)

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271153.html2012/4/10 20:57:59

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271728.html2012/4/10 23:29:39

功率型led封装技术的关键工艺分析

术和多量子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274795.html2012/5/16 21:32:09

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

子阱结构,虽然其内量子效率还需进一步提高,但获得高发光通量的最大障碍仍是芯片的取光效率低。现有的功率型led的设计采用了倒装焊新结构来提高芯片的取光效率,改善芯片的热特性,并通过增

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279497.html2012/6/20 23:06:36

基于tpic6b273的led驱动控制设计

tpic6b273是美国ti公司生产的集8位数据锁存、功率驱动为一体的新型复合功能器件它是一种8通道d型触发器锁存、功率输出器件。文中用硬件电路原理图的形式给出了利用该器件设

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V12395.htm2007/2/8 13:33:44

手机相机的低压闪光灯电路设计(图)

本文介绍了手机相机用低压闪光灯电路设计,及主要器件的选用要求。

  https://www.alighting.cn/resource/20071024/V12861.htm2007/10/24 15:00:00

国星推出红外、紫外新品,这款国内首创

2015年开始,国星光电陆续推出红外/紫外器件、汽车大灯器件、植物照明等特种器件,受到市场持续关注并在客户端广泛应用。针对客户需求,国星光电持续发力,隆重推出分别用于虹膜识别和诱

  https://www.alighting.cn/pingce/20170531/150889.htm2017/5/31 16:42:56

首页 上一页 334 335 336 337 338 339 340 341 下一页