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sed显示技术

芝的计划,sed真正量要到2007年,到那时候lcd和pdp厂家可能不但已经赚回了研发费用,连生线的折旧费都已经回来了。所以sed在一开始时价格上可能并不占优势,这也是为什么fe

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229937.html2011/7/17 23:25:00

静电在led显示屏生过程中的危害及防护措施

至影响到整个市常如何规范化生,如何生出真正意义上的低衰减、长寿命的 led显示屏品?本文仅从led显示屏生过程的静电防护角度,讨论该过程静电带来的危害及其防护方法。静电

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229941.html2011/7/17 23:26:00

发光二极管封装结构及技术

300亿只的能力,实现超高亮度aigslnp的led外延片和 芯片的大生,年10亿只以上红、橙、黄超高亮度led管芯,突破gan材料的关键技术,实现蓝、绿、白的led的中批量生

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229942.html2011/7/17 23:26:00

rgb与白光led存亡之战

经宣布放弃这条线的美光源总经理林竹轩,特别表示,不只是光衰减的问题,其它问题也是一大主因。他清 楚的表示,白光led在清晰度与色纯度都明显逊于rgb之下,他并表示,rgb在重迭恰

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229943.html2011/7/17 23:27:00

led外延生长工艺概述

了纯度高,平整性好外,量能力及磊晶成长速度亦较mbe为快,所以现在大都以mocvd来生。其过程首先是将gaas衬底放入昂贵的有机化学汽相沉积炉(简mocvd,又称外延炉),再通

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00

led作背光源的技术现状

和度会被牺牲。至于在led技术部份,现阶段各厂商所生的led背光模块,大多以r、g、b三色led做组装,并以直下式技术搭配背光区域控制技术(local dimming),在独

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229965.html2011/7/17 23:39:00

大功率led在矿灯行业的应用概况

率led应用市常2.3 矿灯企业的分布目前,中国矿灯厂主要分布于矿省份和电子工业较发达的省份。2005年矿灯换代带来的业调整机会吸引了大批的淘金者,涌现出一批从电子等行业进入的新

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229967.html2011/7/17 23:40:00

led芯片/器件封装缺陷的非接触检测技术

中:a为芯片的pn结面积,q是电子电量,w是pn结的势垒区宽度,ln、lp 分别为电子、空穴的扩散长度,β是量子额(即每吸收一个光子生的电子-空穴对数), p是照射到pn

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230108.html2011/7/18 23:49:00

日本《照明用白色led测光方法通则》

日本四团体共同制定的《照明用白色led 测光方法通则》为目前唯一针对照明用白光发光二极管 (led)所制定的测量标准,本文将对其内容进行介绍及分析,以供读者及有关、学、研部门参

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230113.html2011/7/18 23:51:00

led芯片封装缺陷检测方法研究

散长度,j表示以光子数计算的平均光强,α为p-n结材料的吸收系数,β是量子额,即每吸收一个光子生的电子一空穴对数。在led引脚式封装过程中,每个led芯片是被固定在引线支

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230114.html2011/7/18 23:52:00

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