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基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设

http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

算是辛苦的一年，主要是因为照明对LED产能具有影响力的规模经济，要等到2013年才可见到。他认为，2012年将是产业淘汰竞争关键的一年。　　李秉杰认为，照明真正爆发年会落在2013

http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/1/31/263399.html2012/1/31 15:30:19

明目前只能做到30~50lm/w，仍有较大差距，不同材料之间表现差异较大，在材料研究和器件结构设计上需要更进一步努力。　　创造成本方面,LED随着产能规模的扩大和技术进步，价格逐步走

http://blog.alighting.cn/ledpurchase/archive/2012/9/14/289955.html2012/9/14 16:30:00

生的热量。由于LED模组会被用在户外，所以还需要考实际的环境因素，如关键的散热片上被鸟筑巢的可能性。还有就是规章问题。现行规章中规定了灯的刺眼程度和光污染限制，同时明确规定了LED光

http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/11/19/298814.html2012/11/19 21:31:31