站内搜索
由镓(ga)和氮(n)构成的化合物半导体。带隙为3.45ev(用光的波长表示相当于约365nm)，比硅(si)要宽3倍。利用该特性，gan主要应用于光元件。通过混合铟(in)和铝(
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128306.htm2010/8/17 17:42:27
led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基片上生长结晶而成。采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，则使
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128307.htm2010/8/17 17:40:08
利用带隙较宽的层夹住带隙窄且极薄的层形成的构造。带隙较窄的层的电势要比周围(带隙较宽的层)低，因此形成了势阱(量子阱)。在led和半导体激光器中，量子阱构造用于放射光的活性层。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128308.htm2010/8/17 17:37:46
在基片上生长结晶轴相互一致的结晶层的技术。用于制作没有杂质和缺陷的结晶层。包括在基片上与气体发生反应以积累结晶层的vpe(气相生长)法、以及与溶液相互接触以生长结晶相的lpe(液相
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128309.htm2010/8/17 17:35:44
光通量是表示光源整体亮度的指标。单位为lm(流明)。在表示照明光源的明亮程度时经常使用。是参考人眼的灵敏度(视觉灵敏度)来表示光源放射光亮度的物理量。具体数值为各向同性的发光强度为
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128310.htm2010/8/17 17:33:47
指利用照明器具的光照射物体时，反映以何种程度再现了与自然光照射时相同颜色的指标。一般情况下，多使用平均演色性指数(ra)来表示。平均演色性指数越接近100的光源，越能再现与自然光照
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128311.htm2010/8/17 17:09:07
表示相对于光的波长，光的强度的分布。led的光谱一般为单色led，例如蓝色led以波长470nm时为峰值呈山峰分布，以峰值波长较短的紫外领域和峰值波长较长的绿色领域为光的强度的测定
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128312.htm2010/8/17 16:57:07
半导体元件内部的温度。在led中是指芯片内发光层(pn结间设置多重量子阱构造的位置)的温度。led芯片的发光层在点亮时温度会上升。一般情况下，接合温度越高，发光效率就越低。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128313.htm2010/8/17 16:54:18
韩国的工业标准，相当于日本的“jis标准”。进入2009年后，ks标准对led照明安全及性能事项新进行了规定。例如，如果是转换器内置型led灯的话，规定必须为220v、60hz、6
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128314.htm2010/8/17 15:48:17
led的用途包括指示器、液晶面板背照灯、照明器具以及前照灯等，范围极广。对白色led的发光特性要求呈现出多样化趋势。另外，led是点光源，而且具有指向性较强的特点。
https://www.alighting.cn/resource/20100817/128315.htm2010/8/17 15:44:52
