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、采用碳化硅基板生长GaN薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233187.html2011/8/20 0:26:00
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233154.html2011/8/20 0:17:00
装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯片的串联、又有好几路的并联。这
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233119.html2011/8/20 0:05:00
国 iii-n technology，3n技术开发mocvd生长技术基础上的氮化镓衬底，可以增进照明和传感器的应用，并降低成本和提高生产效率。对大大小小的硅发光二极管提供6英寸生产技术。3
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233114.html2011/8/20 0:04:00
之材料及其外延技术中，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长法成长磷砷化镓gaasp材料为主。 一般来说，GaN的成长须
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233086.html2011/8/19 23:56:00
led光谱晶片，什么是led晶片? 一、led晶片的作用： led晶片为led的主要原材料，led主要依靠晶片来发光。 二、led晶片的组成 主要有砷(as)铝(al)
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233079.html2011/8/19 23:54:00
6 的?光led等。由于制造采用了?、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化镓）的蓝光 led 、gap 的绿光led和gaas红外光led,被称为二元素发
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233064.html2011/8/19 23:50:00
电的蓝宝石那样必须都从一侧引出,这样不但可以减少管芯面积还可以省去对GaN外延层的干法腐蚀步骤。同时由于硅的硬度比蓝宝石和sic低,在加工方面也可以节省一些成本。据国外某知名公司的估计使
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233061.html2011/8/19 23:49:00
d等。由於製造採用了鎵、砷、磷三种元素，所以俗称这些led为三元素发光管。而GaN（氮化鎵）的蓝光 led 、gap 的绿光 led和gaas红外光led，被称为二元素发光管。而目
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232817.html2011/8/19 0:28:00
