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、以及 薄膜陶瓷基板三种，在传统高功率led元件，多以厚膜或低温共烧陶瓷基板作为晶粒散热基 板，再以打金线方式将led晶粒与陶瓷基板结合。 如前言所述，此金线连结限制了热量沿电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271420.html2012/4/10 21:43:01
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271417.html2012/4/10 21:42:52
术的改善，信用卡将可加入更复杂的半导体与其它组件。将led (light-emitting diodes) 技术应用到薄膜上，之后可以嵌入许多装置中。目前agilight的led条
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271193.html2012/4/10 21:03:28
大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜，而晶能认为，基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力，并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led，晶能光电
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271169.html2012/4/10 20:58:57
、采用碳化硅基板生长gan薄膜，优点是在相同操作电流条件下，光衰少、寿命长，不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长，不足处是须对led表面进行处理
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271156.html2012/4/10 20:58:07
中，往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率，也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计，并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜，来提高芯片的侧
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39
色。 最近，欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法，一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中，led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造，一个不同点就
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271130.html2012/4/10 20:55:38
中科院半导体研究所做了题为《高效大功率led关键技术》的报告，详细的分析了高效大功率led关键技术，主要内容包括：正装条形线阵功率型led关键技术及进展和垂直结构(薄膜结构)功率
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/10/114810_18.htm2012/4/10 11:48:10
构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进，led在光效方面实现了巨大突破。薄膜芯片技术是超亮led芯片生产中的核心技术，能够减少各侧面的光输出损耗，并能借助底部的反射
http://blog.alighting.cn/iled/archive/2012/4/10/270972.html2012/4/10 10:08:32
构、表面粗化处理和多量子阱结构设计在内的一系列技术改进，led 在光效方面实现了巨大突破。 薄膜芯片技术是超亮 led 芯片生产中的核心技术，能够减少各侧面的光输出损耗，并能借助底
http://blog.alighting.cn/125858/archive/2012/4/1/270043.html2012/4/1 22:16:49
