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0 Nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3）倒装芯片技术 algaiNN基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上，欧姆接触的p电极和N电极只能制备在外延表面的同一
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
金, 铜等)没有损伤，对硅及硅化合物（如sio2 或 si3N4）仅有极轻微损伤。蚀刻的速度快，能同时对带有不同厚度光刻胶的基板进行蚀刻，还可以剥离超厚光刻胶层（大于1mm），可进
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268321.html2012/3/15 21:55:29
功率因子：电路中的功率与电流、电压均方根的乘积之比。* d- f" ?1 @* r4 N; i$ p对于正弦波来说，功率因子等于电压、电流位相差的余弦。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267946.html2012/3/15 21:06:52
6 e" w% h* }+ c9 N9 b& b% c可防止一特定蒸汽或气体进入灯罩的灯具。防雨灯具：：用于室外能够防止雨水渗透的灯具。# p% {+ @$ ma' o- c
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267937.html2012/3/15 21:06:21
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/267907.html2012/3/15 21:04:49
、红外和可见光谱，从而形成一个实用的发光元件。目前可见光(380一 78 0N m)的led产量以90%的优势占主导地位。le d 以 体积小(最小仅几毫米)、寿命长(几万小时)
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用N阱和p衬底结,N阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipN结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“p-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向p区，在p区里电子
http://blog.alighting.cn/121954/archive/2012/3/6/267177.html2012/3/6 14:32:39
首尔塔位于韩国首尔特别市龙山区的南山，前称首尔塔或汉城塔，高236.7米，建于1975年，是韩国著名的观光点。 N首尔塔的N既是南山（NamsaN）的第一个字母，又有全新（Ne
http://blog.alighting.cn/nsurprise/archive/2012/2/25/264830.html2012/2/25 10:04:38
组：faNNy rodríguez masgrau, saNti vila plaNells, carme vich pascual, jost dewald, Núria martí
http://blog.alighting.cn/yuoiohj/archive/2012/2/20/264560.html2012/2/20 23:18:46
