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本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底GaN基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
自上世纪90年代初中村修二发明高亮度蓝光led以来，基于GaN基蓝光led和黄色荧光粉组合发出白光方式的半导体照明技术在世界范围内得到了广泛关注和快速发展。迄今为止，商品化白
https://www.alighting.cn/resource/20130830/125359.htm2013/8/30 17:48:20
a至4a)的选择方案。这一现象似乎令人惊讶，因为半导体行业有大量的容量达到4a的dc-dc解决方案，但它们的设计目的是控制电压， 而不是控制led电流。本文将探讨将现成dc-dc降
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/30/17316_14.htm2013/8/30 17:03:16
本文将讨论这种控制策略实现恒流的原理，分析这种开环控制策略的优缺点，和应用这种控制策略需要做的外围补偿，同时基于占空比半导体公司新产品du2401芯片，介绍这种全新的闭环电流控
https://www.alighting.cn/resource/20130830/125362.htm2013/8/30 14:30:24
w，半导体照明将逐步取代白炽灯和普通荧光灯等传统照明光源。文中通过比较led荧光灯的生产方式比较，得出led封装中荧光粉的选择与解决方案。欢迎下载参
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/28/15285_21.htm2013/8/28 15:28:05
本文通过在硅衬底发光二极管(led)薄膜p-gan表面蒸发不同厚度的ni覆盖层,将其在n2:o2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面ni覆盖层之
https://www.alighting.cn/2013/8/28 14:38:01
d有别于传统光源，并拓宽了它在多种领域的应用。但是也正是由于其体积小、高光效的特点，使得led仍存在应用的障碍 ——散热问题。依照目前的半导体制造技术，大功率led只能将约15%的输
https://www.alighting.cn/2013/8/26 15:33:22
半导体发光二极管作为新型的固体照明器件，寿命长达5~10万h，它不仅耗电少、亮度高，而且体积小、抗振动。各种白色、红色、蓝色、绿色、黄色的半导体led发光二极管产品如雨后春笋纷
https://www.alighting.cn/resource/2013/8/26/115010_73.htm2013/8/26 11:50:10
传统的氮化镓(GaN)led元件通常以蓝宝石或碳化硅(sic)为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为2"或4"。业界一直在致力于用供应更为丰富的硅晶圆(6
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125384.htm2013/8/23 13:58:42
本文详细介绍了美国和欧盟对led照明产品的能效要求，并对两者之间的差异进行了对比分析。
https://www.alighting.cn/resource/20130823/125385.htm2013/8/23 11:11:47
