检索首页
阿拉丁已为您找到约 5174条相关结果 (用时 0.011716 秒)

GaN基倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

采取蒙特卡罗光线追踪方法,模拟GaN基倒装led芯片的光提取效率,比较了蓝宝石衬底剥离前后,蓝宝石单面粗化和双面粗化、有无缓冲层下led光提取效率的变化,并对粗化微元结构和尺寸

  https://www.alighting.cn/resource/20140530/124544.htm2014/5/30 13:21:19

bluglass公司6英寸玻璃衬底GaN led发出蓝光

2007年6月7日,澳大利亚bluglass公司称其在直径6英寸镀膜玻璃晶片上沉积的GaN发出蓝光,这在世界上是第一次。大尺寸玻璃晶片上高质量led材料的沉积技术的进步可能最终带

  https://www.alighting.cn/resource/20070611/128507.htm2007/6/11 0:00:00

cob 封装中芯片在基板不同位置的残余应力

利用硅压阻力学芯片传感器作为原位监测的载体,研究了直接粘贴芯片的封装方式中,芯片在基板上的不同位置对于封装后残余应力的影响以及在热处理过程中残余应力的变化,发现粘贴在基板靠近

  https://www.alighting.cn/2014/4/23 11:15:41

【有奖征稿】铝基板导热系数测试方法

一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于介绍《铝基板导热系数测试方法》的技术资料,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/4/17 11:09:25

基于pc的led外延片的无损检测扫描系统

介绍了对新型发光二极管外延片光致发光系统的改进,以vc.net为语言工具编制软件,对发光二极管外延片关键性能参数的测量结果进行分析。增加了薄膜厚度测量的性能,完善了测量系统的功

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1066.htm2010/1/18 14:56:30

氧化对GaN基led透明电极接触特性的影响

研究了热退火对inGaN/GaN多量子阱led的ni/au p GaN欧姆接触的影响。发现在空气和n2气氛中交替地进行热退火的过程中ni/au接触特性显示出可逆现象。ni/au

  https://www.alighting.cn/2013/1/29 15:47:52

led衬底的选择与外延工艺设备

本文黄健全先生系统的讲解了关于led衬底材料的选择与外延工艺设备的基本情况,读者可以通过这次讲解对led上游外延片的部分有一个简单的了解和认知。

  https://www.alighting.cn/resource/20110722/127404.htm2011/7/22 13:16:22

淡季连带不景气 台led外延厂股价全数落难

受淡季度以及不景气影响影响,客户拉货意愿不高,晶电、璨圆表示,2008年11月订单能见度不高,要看下半月是否有急单,但11月、12月营收衰退应无可避免。led外延厂11月产能利用

  https://www.alighting.cn/news/20081119/119054.htm2008/11/19 0:00:00

专访璦司柏(icp) - led散热基板的新锐趋势

近年来led散热基板成为厂商关注的议题之一,ledinside日前在台湾专访了璦司柏电子(icp),由总经理庄弘毅博士告诉我们关于led散热基板的最新发展,以及近期led产业产

  https://www.alighting.cn/news/20100401/86094.htm2010/4/1 0:00:00

led蓝宝石基板q2量增价持平

led照明夯,带动蓝宝石基板厂业绩持续加温,据了解,第二季开始,产能陆续回到满载情况,但价格部分,在下游客户磊晶厂业绩持续成长,上游蓝宝石厂商价格可望攀升,最快6月有机会调涨价格

  https://www.alighting.cn/news/20120530/89263.htm2012/5/30 9:54:06

首页 上一页 32 33 34 35 36 37 38 39 下一页