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李允立申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

. fred schubert 從事有關氮化鎵(GaN)半導體之材料與元件,特別是發光二極體(led)與固態半導體照明(ssl)的研究;後隨prof. schubert轉校到壬色列理

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/24/315491.html2013/4/24 21:37:00

2012年主要行业贡献介绍

n基团的新型橙红色荧光粉,其晶体结构有明显不同于三菱专利产品结构,目前已申请两项国内发明专利(申请号:201210560565.6,201210564599.2),可望在核心氮化物红

  http://blog.alighting.cn/zhuangweidong/archive/2013/4/24/315478.html2013/4/24 20:39:57

近年来的工作成果

高了20-30%;  6)2008年至2009年,何文铭主导开发了国家光电子晶体材料工程技术研究中心的项目,提前一年完成相应任务,并且相应技术指标远超过合同预期指标,小功率白光le

  http://blog.alighting.cn/hewenming/archive/2013/4/24/315410.html2013/4/24 12:03:02

mocvd外延al_2o_3基alGaN/GaN超晶格的结构和光学特性

通过x射线衍射分析、透射电镜观察、红外透射光谱分析、紫外-可见吸收光谱分析和光致发光试验,研究了用金属有机物化学汽相沉积(mocvd)的方法,在带有GaN缓冲层的蓝宝石(al2o

  https://www.alighting.cn/resource/20130423/125683.htm2013/4/23 10:59:17

硅基GaN蓝光led外延材料转移前后性能

利用外延片焊接技术,把si(111)衬底上生长的GaN蓝光led外延材料压焊到新的si衬底上.在去除原si衬底和外延材料中缓冲层后,制备了垂直结构GaN蓝光led.与外延材料未转

  https://www.alighting.cn/resource/20130422/125688.htm2013/4/22 13:10:12

上游晶棒价格首次出现回调

近日,据一位蓝宝石长晶业内人士爆料,4月份用于制备2英寸的蓝宝石晶棒价格出现微涨,晶棒价格已经从原先的2.8-2.9元/mm微涨至现在的3.1-3.2元/mm。这是自蓝宝石衬底从3

  https://www.alighting.cn/news/20130422/98937.htm2013/4/22 10:44:24

低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

对材料特性进行了表征,获得了表面光亮的晶体质量较好的ⅱ型inas/gasb超晶格材料,在77k下得到光致发光谱峰值波长为3.25μm.研究了生长温度、过渡层、界面层对其表面形貌的影

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

新纳晶王怀兵申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

导体材料氮化镓基(GaN)蓝光发光二极管(led)芯片及相关产品,王怀兵博士时任副总经理,负责关键材料外延片的研发及生产,该项目后被列为国家火炬计划、深圳市重点建设高新技术项

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/17/314677.html2013/4/17 14:30:05

cl_2/bcl_3icp刻蚀蓝宝石研究

本文研究了icp刻蚀蓝宝石中工艺参数对蓝宝石刻蚀速率的影响规律,所用气体为cl2/bcl3,研究结果表明,蓝宝石的刻蚀速率随着icp功率、rf功率和气体总流量的增大单调增大;随着压

  https://www.alighting.cn/resource/20130416/125723.htm2013/4/16 10:49:04

通士达魏岚申报阿拉丁神灯奖年度贡献人物

目的推进;  推荐人:吴虹(博客)  推荐理由:全国人大代表,致力于高效节能光源用稀土发光材料研究,对白光led灯用稀土黄色荧光粉有深入的研究。为了让生产出的荧光粉呈现最为圆整的晶体

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/4/15/314471.html2013/4/15 11:42:48

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