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GaN是极稳定的化合物，又是坚硬的高熔点材料，熔点约为1700℃，GaN具有高的电离度，在ⅲ—ⅴ族化合物中是最高的(0.5或0.43)。在大气压力下，GaN晶体一般是六方纤锌矿结
https://www.alighting.cn/resource/20051216/128915.htm2005/12/16 0:00:00
同传统led相比，GaN同质衬底技术能实现更好的显色性能和白光准确度，并具有每晶元流明优势。
https://www.alighting.cn/resource/20141204/123974.htm2014/12/4 11:26:50
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
为改善GaN 基发光二极管( light??emitting diode, led) 的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度
https://www.alighting.cn/resource/2012/4/11/101149_25.htm2012/4/11 10:11:49
据日媒报道，日本东北大学与罗姆将zno(氧化锌)类紫外led的发光强度提高到了100μw，为原来产品的1万倍。这一发光强度是inGaN与GaN类紫外led的约110倍。东北大学原
https://www.alighting.cn/news/20110526/100302.htm2011/5/26 9:42:28
上海蓝光日前提出一种新型无掩膜侧向外延技术，可在蓝宝石衬底上生长位错密度更低的GaN薄膜，在蓝宝石衬底表面原位形成高密度的纳米坑，衬底和GaN之间粗糙的界面极大地提高led光提
https://www.alighting.cn/news/20110601/115404.htm2011/6/1 10:13:21
晶圆级led芯片及白光光源，为宁波天炬光电科技有限公司、中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所2019神灯奖申报技术。
https://www.alighting.cn/pingce/20190331/161255.htm2019/3/31 11:48:58
针对业界盛传台积电有意收购韩国海力士半导体(hynix semiconductor)晶圆厂的传闻，台积电昨日拒绝发表更多评论，海力士方面则称该传闻缺乏根据。
https://www.alighting.cn/news/200766/V5272.htm2007/6/6 13:33:22
日本牛尾电机宣布已开始供货led用曝光装置，并成功开发出了led用激光剥离装置。曝光装置“ux4-leds ffpl 200”是“全球首款”(牛尾电机)支持200mm晶圆的产品。
https://www.alighting.cn/news/20110721/100482.htm2011/7/21 13:36:06
据台湾杂志《新电子》报道，罗姆半导体集团 (rohm semiconductor) 和意法半导体 (st) 宣布与罗姆旗下公司sicrystal签署一项碳化硅 (sic) 晶圆长
https://www.alighting.cn/news/20200117/166255.htm2020/1/17 9:44:59
