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间人”也可享最高百万元奖励在促进led生产项目投资上，《意见》共提出6项具体办法，其中规定对led产业链外延、晶圆、封装、应用、衬底、材料等关键环节的新增或扩建投资项目设备投资给
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/12/314314.html2013/4/12 13:56:29
一份来自新世纪led有奖征稿活动的关于《非极性GaN薄膜及其衬底材料》的资料，现在分享给大家，欢迎下载附件查看详细内容。
https://www.alighting.cn/2013/4/12 13:01:03
高亮度led主要分为红外光的gaas体系和algaas体系，红、橙、黄、绿色的algainp体系，绿色和蓝色的inGaN体系，以及紫外光的GaN和alGaN体系。目前inGaN体
https://www.alighting.cn/news/20130412/90243.htm2013/4/12 9:44:22
采用抗刻蚀性光刻胶作为掩膜,并利用光刻技术制作周期性结构,进行icp干法刻蚀c面(0001)蓝宝石制作图形蓝宝石衬底(pss);然后,在pss上进行mocvd制作GaN基发光二极
https://www.alighting.cn/resource/20130411/125742.htm2013/4/11 11:59:01
夏普sharp为日本led垂直整合厂商，自led晶圆、封装与照明，对于照明事业，完全自led照明起家后并积极开展照明事业。夏普对于led照明发展有什么样的规划与看法?如何找到自
https://www.alighting.cn/news/2013411/n757050543.htm2013/4/11 10:24:54
大,衰减较快。该结果对GaN led的改进有一定参考价
https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42
叉的位错线是呈现黑色的，可以推断晶格不匹配增加，iqe下降。虽然gaas和inp中晶格匹配和iqe显示很强的关系，但是GaN中这种关系却不明显，这主要是GaN中位错的电学活性很
http://blog.alighting.cn/174963/archive/2013/4/9/313815.html2013/4/9 9:36:11
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
蓝宝石晶圆具有肉眼可视的特殊取向。rubicon已经开发了一种工艺，制作可通过视觉或触觉检测取向的非对称晶圆。这很重要，因为led和半导体制造商采用特殊晶体取向处理蓝宝石晶圆。
https://www.alighting.cn/pingce/20130407/121856.htm2013/4/7 11:08:44
利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金
https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48
