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于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271785.html2012/4/10 23:33:32
对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271795.html2012/4/10 23:36:34
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274725.html2012/5/16 21:28:19
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274735.html2012/5/16 21:29:01
无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。 图中为InGaN与alingap两种led用的半导体材料，在各尖峰波长（光色）下的外部量子化效率图，虽然最理想下可逼近40％，但若再
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/1/29/129427.html2011/1/29 10:03:00
明灯泡约1;8颗,投影机内10多颗,不过闪光灯使用机会少,点亮时间不长,单颗的照明灯泡则有较宽裕的周遭散热空间,而投影机内虽无宽裕散热空间但却可装置散热风扇。图中为InGaN
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230092.html2011/7/18 23:40:00
d外延生长技术和多量子阱结构的发展，人们在精确控制外延、掺杂浓度和减少位错等方面都取得了突破，处延片的内量子效率已有很大提高。像波长为625nm的a1ingap基led，内量子效率
http://blog.alighting.cn/Antonia/archive/2010/11/18/115032.html2010/11/18 16:39:00
本文通过对高功率InGaN(蓝)led倒装芯片结构+yag荧光粉构成白光led的分析，可以得出这种结构能提高发光效率和散热效果的结论。通过对白光led的构成和电流/ 温度/光通
https://www.alighting.cn/resource/2013/10/16/142218_52.htm2013/10/16 14:22:18
出可寻址矩阵，这非常适合于车头灯动态光束转向。InGaN led的固有高速切换使其成为可见光通讯或lifi的理想选
https://www.alighting.cn/pingce/20170926/152915.htm2017/9/26 10:26:35
护 静电和电流的急剧升高将会对led产生损害，InGaN系列产品使用时请使用防静电装置，如防护带和手
https://www.alighting.cn/resource/20050803/128882.htm2005/8/3 0:00:00
