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本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基LED薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
tt electronics/optek technology公司开发出一种导热的铝制散热衬底，用于可见光发光二极管组件的散热。称为高导热optotherm ocb201系列。
https://www.alighting.cn/news/2008314/V14439.htm2008/3/14 14:18:50
tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。氮化铟镓是蓝，绿和白光LED和蓝激光管生产的主要复合半导体材料。
https://www.alighting.cn/news/2007821/V8265.htm2007/8/21 11:29:42
近期，晶能光电宣布其硅衬底大功率LED芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80测试数据。
https://www.alighting.cn/news/20131016/n241757471.htm2013/10/16 8:58:15
硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅，半导体硅工业产品包括多晶硅、单晶硅（直拉和区熔）、外延片和非晶硅等，其中，直拉硅单晶广泛应用于集成电路和中小功率器件。区域熔单晶目前
https://www.alighting.cn/resource/20110323/127841.htm2011/3/23 13:44:17
si衬底LED芯片制造工艺 si衬底LED封装技术 解决方案： 采用多种在线控制技术 通过调节p型层镁浓度结构 采用多层金属结构 1993年世
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
针对倒装芯片(flipchip)大功率发光二极管器件，描述了大功率LED器件的热阻特性，建立了flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线，以三类典型粘
https://www.alighting.cn/resource/2009316/V782.htm2009/3/16 11:19:37
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siLED发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结LED。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
美国LED大厂cree日前宣佈，旗下的材料事业已经成功地将无微管(zmp) 的sic衬底尺寸做到4英吋，约合10公分的长度，将有助于n-type型态的发展，也对氮化鎵(gan)
https://www.alighting.cn/news/20070530/106317.htm2007/5/30 0:00:00
现在市场上广泛使用的极化(c 平面)氮化镓材料具有很强的自发压电极化特性，这一点是许多器件性能问题的主要原因，比如内部量子效率的减小，阱厚度的限制，高的正向电压，载流子的溢出等等，
https://www.alighting.cn/pingce/20130926/121903.htm2013/9/26 15:36:04
