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采用440nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led，研究了不同胶粉配比对klv发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/2015/1/26 14:58:55
采用440 nm短波长ingan/gan基蓝光led芯片激发高效红、绿荧光粉制得高显色性白光led,研究了不同胶粉配比对led发光性能的影响。
https://www.alighting.cn/resource/20141008/124238.htm2014/10/8 10:13:30
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
从1907年发光二极管的发明到1995年蓝光led的成功开发，半导体照明经历了曲折的过程。其中包括在蓝光led研发过程中，碳化矽（SiC）与氮化镓（gan）“阵营之争”。led经
https://www.alighting.cn/resource/20071017/V12853.htm2007/10/17 14:13:49
早在1923年，罗塞夫（lossen.o.w）在研究半导体SiC时有杂质的p-n结中有光发射，研究出的发光二极管（led：light emitting diode）一直都没受到过
https://www.alighting.cn/resource/20081127/128639.htm2008/11/27 0:00:00
本文对基于硅热沉的大功率led 封装阵列进行了热模拟,同时结合传热学基本原理分析计算了各部分的热阻,然后,对实际工艺制备出的封装器件的结温进行了测量。结果表明,理论计算值与仿真结果
https://www.alighting.cn/2015/2/5 11:08:11
本文为《标准gan外延生长流程》以图文结合的方式阐述了gan基外延片的生长过程与流程，使读者能够直观的学习到复杂的外延过程。
https://www.alighting.cn/resource/20121105/126308.htm2012/11/5 17:17:49
～160k 条件下造成很大的热势垒，从而阻碍了载流子从强束缚局域态向弱束缚局域态的跃
https://www.alighting.cn/2015/3/13 10:02:28
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124217.htm2014/10/11 10:37:14
虽然最近几年有机发光二极管(organiclightemissiondiode，oled)显示器已经商品化，不过oled显示器不论是发光效率、使用寿命，或是改用无晶硅基大型面板
https://www.alighting.cn/resource/200822/V14002.htm2008/2/2 11:20:53
