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led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232833.html2011/8/19 1:07:00

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/233025.html2011/8/19 23:25:00

用于lcd背光的led技术进步

步取代了传统的冷阴极荧光灯(ccfl)。  在历史上,lcd背光已使用了不同的光源,包括白炽灯、荧光灯和led。oem用来决定最适合自己应用的背光技术的选择标准包括成本、亮度、均匀度

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00

光傲科技展示近场分布式光度计、ol770等led测量设备

r 照明工程评价仪器(详见眩光、道路照明、景观评价文章)参考文章[文章] [原创]眩光测试系列文章 [文章] 隧道亮度动态测试视频欣赏 [文章] [原创]一组现场实测照明效果(亮

  http://blog.alighting.cn/light2all/archive/2011/9/14/236383.html2011/9/14 20:28:23

用于lcd背光的led技术进步

步取代了传统的冷阴极荧光灯(ccfl)。  在历史上,lcd背光已使用了不同的光源,包括白炽灯、荧光灯和led。oem用来决定最适合自己应用的背光技术的选择标准包括成本、亮度、均匀度

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258547.html2011/12/19 10:59:07

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258557.html2011/12/19 10:59:35

led灯具价格差异的因素

在很大的差异,几乎达到了每个企业都有自己的一套价格体系,那么是很原因照成了这样的不便呢?下面我们就来分析一下,一颗led灯具衡量它价值的因素一般包括一下七个方面:亮度 抗静电能力 波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261351.html2012/1/8 20:20:35

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261510.html2012/1/8 21:47:10

led芯片的技术发展状况

4mw的蓝光芯片,研究单位的水平为蓝光6 mw左右,绿光1~2 mw,紫光1~2 mw。随着外延生长技术和多量子阱结构的发展,超高亮度发光二极管的内量子效率己有了非常大的改善,如波

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