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v±10 % +30v.....+60v+10 % ri发生器内阻2ω,4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46267.html2010/5/27 9:21:00
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46264.html2010/5/27 9:19:00
.0v±10 % +30v.....+60v+10 % ri发生器内阻2ω,4ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2m
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46261.html2010/5/27 9:17:00
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46259.html2010/5/27 9:15:00
ω,10ω,30ω,50ω td脉冲宽度 50μs,200μs,300μs,500μs,1ms,2ms ±10% tr脉冲前沿时间 0.5-1μs(2
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46251.html2010/5/27 9:07:00
http://blog.alighting.cn/sztest/archive/2010/5/27/46249.html2010/5/27 9:05:00
長及台灣等亞洲發光二極體廠商大幅擴增氮化鎵系發光二極體磊晶片產能的帶動下，市場規模較2002年大幅成長200%。 2004年台灣等亞洲發光二極體廠商持續擴充氮化鎵系發光二極體磊晶
http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00
4月19日下午，受中科院半导体所所长李晋闽、党委书记陈树堂委托，副所长、副书记李树深一行三人携带200套led手电紧急奔赴青海西宁。led手电具有节能、亮度高、使用方便、结实耐
https://www.alighting.cn/news/20100527/102548.htm2010/5/27 0:00:00
行标准：gb 3836.1-2-200、gb 12476.1-2000。 适用环境及用途 功率：68w 防护等级ip66 1区、2区及20区、21区、22区危险场所； ii
http://blog.alighting.cn/ling2979/archive/2010/5/26/46221.html2010/5/26 17:28:00
适用于钢管或电缆布线； 安装方式简单，多样化，可满足用户现场的各种安装需求 执行标准：gb 3836.1-2-200、gb 12476.1-2000。 适用环境及用途 防
http://blog.alighting.cn/chenjiefangbao/archive/2010/5/26/46214.html2010/5/26 16:05:00
