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用条件用tc =tj - P*rjc的公式近似。厂家规格书一般会给出，rjc，P等参数。一般P是在25度时的功耗。当温度大于25度时，会有一个降额指标。举个实例：一、三级管2
http://blog.alighting.cn/zhangangx/archive/2010/7/1/53773.html2010/7/1 23:11:00
s(砷化镓)、gaasP(磷化镓砷)、a1gaas(砷化铝镓)等半导体制成，其核心是P-n结，因此它具有一般P-n结的伏一安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。当P型半导体和n型半导
http://blog.alighting.cn/something/archive/2010/9/9/95839.html2010/9/9 16:46:00
k,3000-3200k 3200-3500k,3500-3700k P4暖白 80.6-87.4lm 色温同P3暖白 q2暖白 87.4-93.
http://blog.alighting.cn/sscp7led/archive/2010/9/20/98472.html2010/9/20 20:08:00
http://blog.alighting.cn/sscp7led/archive/2010/9/20/98473.html2010/9/20 20:12:00
如gaas（砷化镓）、gaasP（磷化镓砷）、a1gaas（砷化铝镓）等半导体制成，其核心是P-n结，因此它具有一般P-n结的伏一安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。当P型半导体和
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
结.因此它具有一般P-n结的i-n特性,即正向导通,反向截止、击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向下,电子由n区注入P区,空穴由P区注入n区.进入对方区域的少
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
0 c$mP@| va7y2e0 特点：照明工程师社区2x0wma1g4o /sb)~4P,\r0 1、通过调整高精度恒流芯片，保证led亮度、色度的一致性，在模块一级为下
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119306.html2010/12/9 14:14:00
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
业（nichia）在gan的led中，将P型电极（P tyPe）部分做成网纹状（mesh Pattern），以此来增加P极的透明度，减少光阻碍同时提升光透量。 至于增加折反
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
P和ingan led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasP、gaP不可能达到的性能水平。 1991年日本东芝公司和美国hP公司研制成ingaa1P 62
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179890.html2011/5/20 0:39:00
