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0 c$mP@| va7y2e0 特点：照明工程师社区2x0wma1g4o /sb)~4P,\r0 1、通过调整高精度恒流芯片，保证led亮度、色度的一致性，在模块一级为下
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2010/12/9/119306.html2010/12/9 14:14:00
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
业（nichia）在gan的led中，将P型电极（P tyPe）部分做成网纹状（mesh Pattern），以此来增加P极的透明度，减少光阻碍同时提升光透量。 至于增加折反
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
P和ingan led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasP、gaP不可能达到的性能水平。 1991年日本东芝公司和美国hP公司研制成ingaa1P 62
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179890.html2011/5/20 0:39:00
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179900.html2011/5/20 0:43:00
外延生长的基本原理是：在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石和sic,si)上,气态物质in,ga,al,P有控制的输送到衬底表面,生长出特定单晶薄膜。目前led外延片生
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229934.html2011/7/17 23:23:00
结.因此它具有一般P-n结的i-n特性,即正向导通,反向截止、击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向下,电子由n区注入P区,空穴由P区注入n区.进入对方区域的少
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261391.html2012/1/8 20:27:29
d的核心是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空
http://blog.alighting.cn/ledpurchase/archive/2012/8/14/285889.html2012/8/14 10:16:34
-25-百度快照中国最大户内P4高清led显示屏成为点亮_led显示屏厂家 - led电子...2012年2月16日 -近日,由深圳艾斯威光电自主研发承制的深圳国际机场户内 P
http://blog.alighting.cn/aswei/archive/2013/1/10/307013.html2013/1/10 14:59:43
用效果产品”大奖则应该授予深圳市洲明科技股份有限公司，因为此次闭幕式上使用的舞台背景的高清P4led显示屏、两侧卷轴式P6led显示屏、舞台地面led地砖屏、11颗悬挂在舞台正上方的
http://blog.alighting.cn/177840/archive/2013/5/6/316621.html2013/5/6 14:30:20
