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k,3000-3200k 3200-3500k,3500-3700k P4暖白 80.6-87.4lm 色温同P3暖白 q2暖白 87.4-93.
http://blog.alighting.cn/sscp7led/archive/2010/9/20/98472.html2010/9/20 20:08:00
http://blog.alighting.cn/sscp7led/archive/2010/9/20/98473.html2010/9/20 20:12:00
如gaas（砷化镓）、gaasP（磷化镓砷）、a1gaas（砷化铝镓）等半导体制成，其核心是P-n结，因此它具有一般P-n结的伏一安特性，即正向导通、反向截止、击穿特性。当P型半导体和
http://blog.alighting.cn/cookie/archive/2010/10/15/107108.html2010/10/15 17:01:00
结.因此它具有一般P-n结的i-n特性,即正向导通,反向截止、击穿特性.此外,在一定条件下,它还具有发光特性.在正向下,电子由n区注入P区,空穴由P区注入n区.进入对方区域的少
http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2010/11/17/114817.html2010/11/17 22:54:00
这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作n型和P型电极（如图1所示）。在上表面制作两个电极，造成了有效发光面积减少，同时增加了器件制造中的光刻和刻蚀工艺过程，结果
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
组成，一部分是P型[1]半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是n型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-n结”.当电流通过导线作用于这
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120856.html2010/12/14 21:42:00
了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在P-gan层表面均匀和可靠地扩散大电流的能力。因此这种P型接触结构制约了led芯片的工作功
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120872.html2010/12/14 21:48:00
件用tc=tj-P*rjc的公式近似。厂家规格书一般会给出，rjc， P等参数。一般P是在25度时的功耗。当温度大于25度时，会有一个降额指标。 一、可以把半导体器件分为功率器
http://blog.alighting.cn/tangjunwen/archive/2011/1/21/128269.html2011/1/21 11:54:00
分迅速，现已达到常规材料如gaa1as、gaasP、gaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国hP公司研制成ingaa1P 620nm橙色超高亮度led，1992
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179845.html2011/5/20 0:21:00
P和ingan led的研制进展十分迅速，现已达到常规材料gaa1as、gaasP、gaP不可能达到的性能水平。 1991年日本东芝公司和美国hP公司研制成ingaa1P 62
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179890.html2011/5/20 0:39:00
