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让led能够支持更大的电流,来让led产生更大的辉度,以目前的规格来说,一颗面积30UM2 的led所能承受的最大电流为30ma左右,这样的结果还是无法符合在应用上「让led产生更大的
http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133831.html2011/2/19 23:20:00
件远红外辐射强,其工作时有2-13UM远红外波长产生,具有阳光般温暖,有益人体健康;3、元件自身重量轻而且薄,厚度仅为0.26mm左右,是常规电热元件的1/10;4、元件柔性好,适用
http://blog.alighting.cn/farepian/archive/2011/4/4/146853.html2011/4/4 14:46:00
案,和最具代表的led驱动芯片工艺。该公司的小尺寸面板led背光采用0.35UM-0.5UM混合信号工艺,用于电荷泵和线性结构。而大尺寸面板led背光,选用200vsoibcd用于升压结
http://blog.alighting.cn/quanlubiaoshi/archive/2011/7/4/228554.html2011/7/4 11:23:00
来,因此其沟槽下方需要达到绝缘的基板,其深度依不同的外延结构而异,一般约在4~8UM,沟槽宽度方面则无一定的限制,但是沟槽太宽代表着有效发光区域的减少,将影响hv led的发光效率表
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229849.html2011/7/17 22:37:00
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230285.html2011/7/19 23:40:00
在 电 子 器件领域,ucsb大学研制的gan,modfet的施主层厚度仅有20nm,减小了器件的输人电容,使得0. 2UM栅长器件的fsubt达到50ghz,在log hz工作
http://blog.alighting.cn/1059/archive/2012/3/15/267830.html2012/3/15 19:29:50
体以及漫射 体,透镜,辅助光学元件等装置的影响而可能是一个宽波段光源) 三:测试的波长范围 波长在 200nm 至 3000nm 范围的光学辐射 四:测试的参数和对象 测试参数:
http://blog.alighting.cn/toby819/archive/2010/10/19/108858.html2010/10/19 9:12:00
-4600k下午日光 4000k冷色营光灯 4000-5000k高压汞灯 3450-3750k暖色营光灯 2500-3000k卤素灯 3000k钨丝灯 2700k高压钠灯 1950
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120880.html2010/12/14 21:50:00
灯由于发光体以及漫射 体,透镜,辅助光学元件等装置的影响而可能是一个宽波段光源) 三:测试的波长范围 波长在 200nm 至 3000nm 范围的光学辐射 四:测试的参数和对
http://blog.alighting.cn/sinwotest/archive/2013/1/5/306474.html2013/1/5 15:56:12
至 3000nm 范围的光学辐射 四:测试的参数和对象 测试参数: 辐照度 (辐射通量除以单元面积,单位:w?m-2 ) 2. 辐亮度 (辐照度除以视场,可以通过辐照度转
http://blog.alighting.cn/sinwotest/archive/2013/1/5/306489.html2013/1/5 19:13:55