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极管的功率相对比较大，所以与功率半导体器件相同，需要考虑散热问题，结温过高会直接影响led的寿命，并且会增大led的光衰，情况严重的会将led烧坏； 3)价格高除了功率低，价
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00
推动移动电话显示由单色转换为彩色的一个主要趋势是拍摄功能的集成。最初这些成像器件的分辨率相当有限，同时图像质量也不佳。但随着技术的发展，分辨率由30万像素的vga等级进展到100
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134132.html2011/2/20 23:00:00
灯。 表1：氙气闪光灯与led闪光灯的比较 led是电流驱动器件，其光输出由通过的正向电流决定。led的频闪速度要快于任何其他光源，包括氙气闪光灯，它具有很短的上升时
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134133.html2011/2/20 23:00:00
近推出的超低端mcu(mc9rs08ka2)共同使用于hbled的驱动应用中。该器件集所有所需的功能于一体，与数量最小的一批外部元件共同实现降压变换器的功
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
面下手，此层面的作法相当多，依据不同的化合材料也有不同，目前hb led较常使用的两种化合材料是algainp及GaN/inGaN，前者用来产生高亮度的橘红、橙、黄、绿光，后者ga
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
洞在没有发光就被撷取了，在二者接合（再接合）时的能量，就会变成热释放出来，所以 GaN、inGaN从基本上来说，几乎不可能作为发光组件的材料。实际上，虽然缺点很多的GaN在室温条件
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134126.html2011/2/20 22:58:00
统mcu＋rom＋ram的设计，增加了系统的稳定性。 cyclone ep1c6是altera推出的一款高性价比fpga。该器件提供的具有异步、双端口、带寄存器输入口、可选择的带寄存器输
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134119.html2011/2/20 22:55:00
震、高效节能等优异特性在图像显示、信号指示、照明以及基础研究等方面有着极为广泛的应用前景，成为半导体领域的研究热点，国内外很多科研机构和企业先后开展了GaN基材料、器件的相关研
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
摘要：GaN具有禁带宽、热导率高等特点，广泛应用于光电子和微电子器件领域。si衬底GaN基材料及器件的研制将进一步促进GaN基器件与传统器件工艺的集成，因而具有很高的研究价值。介
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00
飞电容(c1和c2)要尽可能靠近ic安装。如果无法避免使用过孔，最好使其与c1和/或c2串联，而不要与cin或cinp串联，因为飞电容对器件的稳定性没有影响。 任何基准旁路电
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134115.html2011/2/20 22:53:00
