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低压mocvd生长参量对ⅱ型inas gasb超晶格材料表面形貌的影响

采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段

  https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59

蓝宝石图形化衬底的gan基led大功率芯片的研究和产业化

升41.0%。在pss上制备的大功率芯片,封装后在350ma电流驱动下光效达到85lm/w。另外pss制备的大功率芯片具有良好的可靠性和稳定性,350ma和700ma下老化100

  https://www.alighting.cn/resource/20130305/125961.htm2013/3/5 10:44:44

大功率led热阻测量研究

led 正向偏压关于电流阶跃的响应曲线包含了大量led 系统热阻热容的结构信息. 通过对led 施加电流阶跃后电压响应曲线的测量和简单拟合, 试图提取led 封装结构中的热阻、热

  https://www.alighting.cn/2012/3/12 13:13:30

gan及algan薄膜透射光谱的研究

利用透射光谱矩阵光学原理,对三种gan或algan外延薄膜的透射光谱进行了分析.在传统的透射光谱拟合方法的基础上,添加了表征材料表面粗糙度、膜内散射情况的拟合参量,拟合曲线与实

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:37:06

利用led的投影系统光源设计

设计了利用多颗led(light emitting diode,发光二极管)阵列组成的扩展面光源.经过合理的聚光设计使之符合某些投影设备对亮度要求不是很高,但结构紧凑、性能稳定

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127163.htm2011/9/13 8:58:08

图形蓝宝石基gan性能的研究

x射线摇摆曲线中,其(0002)面及(10-12)面的半峰全宽分别降低至202.68 arcsec,300.24 arcsec。透射光谱中,其透射率最高,调制深度最大;光致发光谱的

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127200.htm2011/9/5 10:19:25

双波长ingan/gan多量子阱发光二极管的光电特性

为了实现高显色指数和流明效率的白光发光二极管,在(0001)蓝宝石衬底上利用金属有机化学气相沉积系统,生长了双波长发射的ingan/gan多量子阱发光二极管结构.通过对不同in组

  https://www.alighting.cn/resource/20110905/127201.htm2011/9/5 9:53:39

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  http://blog.alighting.cn/reoigre/archive/2010/5/6/43140.html2010/5/6 13:09:00

ウェブ像ーカルの

ダイエットにいいかな.~んて考えてたけど、甘かったイエット話も、すっかり過去の遺物に.・・・い時期は、あまり気にしないけど.かくなってくると、ポッコリお腹が.になりだし

  http://blog.alighting.cn/jkutyt/archive/2010/6/15/50186.html2010/6/15 12:54:00

[原创]cj20系列交流接触器(专产)

至660v(个别等级至1140v),电流至630a的电力线路中.供远距离频繁接通和分断电路.并可以与适当的热继电器或电子式保护装置组合成电动机启动器,以保护电路或交流电动机可能发生的

  http://blog.alighting.cn/wldqylq/archive/2010/6/23/52129.html2010/6/23 14:19:00

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